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张德贤

作品数：10 被引量：8H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇硅器件
  • 4篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 3篇硅
  • 2篇研磨
  • 2篇污染
  • 2篇晶闸管
  • 2篇霍尔传感器
  • 2篇放大器
  • 2篇感器
  • 2篇铁
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 2篇GAAS
  • 1篇电气强度
  • 1篇影响因素
  • 1篇整流
  • 1篇整流器
  • 1篇适应环境
  • 1篇酸腐蚀

机构

  • 10篇西安交通大学
  • 1篇永济电机厂

作者

  • 10篇张德贤
  • 1篇王昌华
  • 1篇王富珍
  • 1篇刘刚
  • 1篇龚彬
  • 1篇张婷婷
  • 1篇刘刚

传媒

  • 3篇西安交通大学...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇环境技术
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1990
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
国产磨料的杂质及研磨对硅片的污染分析被引量：1
1990年
本文研究了国产磨料的成分、杂质和磨料、磨具对硅片的污染,分析了铁对硅器件的危害,提出了减少污染的方法.
张德贤王昌华龚彬
关键词：研磨硅磨料污染
硅器件工艺中的铁污染及其对器件特性的影响
张德贤
关键词：半导体器件硅铁扩散伏-安特性
硅器件工艺中的铁污染及其对器件特性的影响被引量：1
1992年
文中研究了硅器件的异常产生电流和异常特性,揭示了它们的产生原因均是硅器件中有铁污染。
张德贤
关键词：硅器件污染铁
可适应环境温度变化的GaAs霍尔传感器及其放大器的温漂补偿方法被引量：2
1997年
研究了ＧａＡｓ霍尔传感器及其放大器的温漂的相关因素，提出了整体补偿思想，经实验验证，其最大相对误差小于０．１％。
张德贤刘刚
关键词：传感器放大器漂移补偿霍尔传感器
GaAs 霍尔传感器及其放大器温漂补偿的研究被引量：5
1997年
本文研究了ＧａＡｓ霍尔传感器及其放大器的温漂的相关因素，提出了整体补偿思想，实验结果令人满意，最大相对误差小于０．１％
张德贤刘刚
关键词：传感器温度补偿霍尔传感器
硅器件伏安特性与高温合格率相关性的研究
1999年
硅半导体元件／伏安特性合格率
张德贤张婷婷
关键词：伏安特性合格率高温硅器件半导体器件
台面型硅器件的漏电流与研磨损伤层相关理论
张德贤
该理论主要用于指导降低经研磨造成的台面型硅器件的漏电流，从而提高其高温稳定性、可靠性和电压等级合格率。研究表明，由研磨造成的晶格损伤层及其中的污染，将在硅禁带中线以上引入新的深能级中心，它为禁带中心以下深能级中心上的电子...
关键词：
关键词：半导体器件漏电流
高压硅整流元件高温耐压影响因素的研究
张德贤
该项研究成果对硅整流管的击穿机理和高温耐压特性进行了理论分析和较系统的试验研究，提出了：１．尺形转折特性的击穿机理是ＮＮ（＋）结区的表面隧道击穿效应的观点，并从工艺上提出了获得体雪崩的途径；２．归一化基区的概念，分析了漏...
关键词：
关键词：电气强度击穿影响因素耐压性高温试验硅整流器
无机保护用硅晶闸管的研究
1996年
研究了直流溅射造成硅器件性能劣化的原因，探讨了用液相钝化预处理能提高溅射合格率的机理，提出了避免劣化的方法．试验证明。
张德贤王富珍王丽莲
用于大功率GTO挖槽的改进的酸腐蚀工艺
张德贤张昌利徐瑗
关键词：功率晶体管半导体工艺晶闸管刻蚀
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共1页<1>
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