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张永亮

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇场致发射
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇性能研究
  • 1篇英文
  • 1篇气-液-固
  • 1篇气相沉积
  • 1篇相平衡
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇复合纳米结构
  • 1篇VLS
  • 1篇ALN
  • 1篇CS
  • 1篇I-A
  • 1篇场发射
  • 1篇场发射性能

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇张永亮
  • 4篇吴强
  • 4篇王喜章
  • 3篇胡征
  • 2篇蔡婧
  • 1篇赖宏伟

传媒

  • 2篇第八届华东三...
  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
通过包裹优化AlN纳米锥的场致发射性能
AIN具有小电子亲和势、高热导率和热稳定性,其一维纳米材料表现出优良的场致发射性能。近年来,我们围绕AlN纳米材料的可控制备及其场致发射性能开展较为系统深入的研究,通过定量化表征揭示了气-液-固生长模型的相平衡控制机理,...
钱维金张永亮吴强王喜章胡征
关键词：ALN场致发射
相平衡主导的气-液-固(VLS)机理
王喜章吴强蔡婧张永亮何承雨胡征
氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能(英文)被引量：2
2014年
考察了在600℃以下通过反应AlCl3＋NH3→AlN＋3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500～600℃温区内制得的AIN纳米锥的开启电场处于14．2～20V·μm^-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。
裴笑竹赖宏伟张永亮蔡婧吴强王喜章
关键词：氮化铝化学气相沉积场发射
CsI-AIN复合纳米材料的制备及场致发射性能研究
本文采用AIN纳米锥作为骨架，在其表面修饰具有低功函的CsI，进一步降低了AIN纳米锥的功函(-3.7 eV)，从而增强了其场致发射性能。先制备了AIN纳米锥准定向阵列，然后通过真空蒸镀在其表面修饰了低功函的CsI纳米粒...
钱维金张永亮吴强王喜章胡征
关键词：复合纳米结构场致发射
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