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赖宏伟

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇英文
  • 1篇气相沉积
  • 1篇纳米
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇场发射
  • 1篇场发射性能

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇张永亮
  • 1篇蔡婧
  • 1篇吴强
  • 1篇王喜章
  • 1篇赖宏伟

传媒

  • 1篇无机化学学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能(英文)被引量：2
2014年
考察了在600℃以下通过反应AlCl3＋NH3→AlN＋3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500～600℃温区内制得的AIN纳米锥的开启电场处于14．2～20V·μm^-1范围，且随制备温度升高而减小。结果表明AlN纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。
裴笑竹赖宏伟张永亮蔡婧吴强王喜章
关键词：氮化铝化学气相沉积场发射
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共1页<1>
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