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李晓舟

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇动力学
  • 1篇衍射
  • 1篇射线
  • 1篇SI
  • 1篇X射线
  • 1篇硅
  • 1篇AS

机构

  • 1篇辽宁大学

作者

  • 1篇李晓舟
  • 1篇毛晓峰
  • 1篇马德录
  • 1篇高雅君

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1996
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
X射线衍射动力学理论研究As^＋注入Si被引量：4
1996年
本文用ＤＣＤ法测量了注入能量为１６０ｋｅＶ，剂量为１×１０１４～３×１０１６ｃｍ－２，退火温度为５００～７００℃的Ａｓ＋注入Ｓｉ＜１１１＞的Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ．在建立台阶模型和分布函数的基础上，用ＸＲＤ动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格应变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况．实验发现，剂量为１×１０１６ｃｍ－２、６００℃退火，Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ出现双峰，说明有固相外延层形成．剂量大于１×１０１５ｃｍ－２，呈现了非晶特性．
马德录李晓舟毛晓峰高雅君
关键词：X射线衍射动力学硅
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