高雅君
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- C^+注入Si的晶格畸变
- 1997年
- 本文用ｘ射线双晶衍射法测量了注入能量为１４０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１４～１×１０１６ｉｏｎ／ｃｍ２，退火温度为５００℃～７００℃的Ｃ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．在多层模型和试探畸变分布函数的基础上，用ｘ射线衍射的动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格畸变随注入深度的变化。
- 马德录韩宇高雅君李淑凤郭继红
- 关键词：离子注入摇摆曲线晶格畸变硅X射线衍射法
- B^+注入Si的辐射损伤和退火特性
- 1998年
- 本文用ｘ射线衍射仪测出了Ｂ＋注入Ｓｉ的摇摆曲线，用阻尼最小二乘法模拟实验曲线，借助于“多层模型”和ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｂ＋注入Ｓｉ后辐射损伤随注入深度、注入剂量的变化，并用不同的温度进行等时热退火，给出了辐射损伤恢复的退火特性．
- 马德录李淑侠蔡方韩宇高雅君关建新
- 关键词：离子注入退火特性硅
- X射线衍射动力学理论研究As^＋注入Si被引量：4
- 1996年
- 本文用ＤＣＤ法测量了注入能量为１６０ｋｅＶ，剂量为１×１０１４～３×１０１６ｃｍ－２，退火温度为５００～７００℃的Ａｓ＋注入Ｓｉ＜１１１＞的Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ．在建立台阶模型和分布函数的基础上，用ＸＲＤ动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线，得到晶格应变随注入深度的变化，以及在不同退火温度下的恢复情况．实验发现，剂量为１×１０１６ｃｍ－２、６００℃退火，Ｒｏｃｋｉｎｇｃｕｒｖｅ出现双峰，说明有固相外延层形成．剂量大于１×１０１５ｃｍ－２，呈现了非晶特性．
- 马德录李晓舟毛晓峰高雅君
- 关键词：X射线衍射动力学硅
- 椭圆偏振光研究O_2^+注入Si的退火特性
- 2001年
- 用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 。
- 高雅君刘宏俊韩宇马德录
- 关键词：离子注入椭圆偏振光集成度氧离子
- As^+/N_2^+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布
- 2004年
- 采用双晶 X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的 As+ / N2 + 组合离子注入 Si的衍射曲线 ,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型 ,对衍射曲线进行拟合 ,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布 .在 5 0 0～ 90 0℃下进行等时热退火 ,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究 .用 L SS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布 。
- 韩宇肖鸿飞高雅君马德录
- 关键词：退火
- N_2^+注入Si的折射率谱和弛豫时间
- 2002年
- 用TPP 1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为 5 0keV ,不同注入剂量的N+2 注入Si的折射率谱 .计算了单晶硅电极化的弛豫时间 。
- 高雅君刘宏俊韩宇
- 关键词：离子注入弛豫时间单晶硅SI
- VDMOSFET导通电阻的最佳化设计被引量：4
- 2002年
- 分析了VDMOSFET导通电阻模型 ,提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA(单位面积导通电阻 )最小 ,并通过大量理论计算给出击穿电压为5 0V时的最佳单胞尺寸。
- 高雅君
- 关键词：导通电阻VDMOSFET特征电阻
