池俊红
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家基础科学人才培养基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Mn掺杂SnO_2一维纳米结构的制备、形貌及光学性质被引量：5
- 2010年
- 用化学气相沉积(CVD)法制备了Mn掺杂的SnO2一维纳米结构(纳米线及纳米带),X射线衍射(XRD)显示样品为金红石型SnO2晶体,其生长机理可分别归结为气-液-固(VLS)和气-固(VS)机理,生长温度和气态原料浓度的差别是造成样品形貌及生长机理不同的主要原因.样品的拉曼谱出现了500、543、694和720cm-1四个新拉曼谱峰,分别是由活性的红外模和表面模引起的.纳米线及纳米带发光峰位于520nm处,发光强度随样品中氧空位的增减出现由强到弱的变化.
- 池俊红王娟
- 关键词：化学气相沉积光学性质
- Fe_(0.05)Sn_(0.95)O_2纳米线的微结构、电性和磁性
- 2011年
- 用化学气相沉积法(CVD)制备了Fe0.05Sn0.95O2纳米线,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和光致发光(PL)等技术研究了样品的微结构和磁性.由XRD测试结果知Fe0.05Sn0.95O2纳米线为四方金红石结构,并且没有观察到Fe和Fe的氧化物的衍射峰.电性测量获得单根纳米线的电阻率为0.029·cm,载流子浓度为7.6×1017/cm3.VSM的测量结果表明Fe0.05Sn0.95O2纳米线具有室温铁磁性,光致发光测得其发光峰分别位于543nm和611nm;样品在真空中退火后,位于543nm的发光峰发光强度增强,磁性也增强.
- 汪春霞葛洪磊池俊红
- 关键词：化学气相沉积法纳米线电学性质磁学性质
- Co-MgF<,2>颗粒膜的磁性和输运性质的研究
- 最近,由磁性纳米颗粒镶嵌在绝缘介质中而形成的颗粒膜越来越引起人们的普遍关注,这不仅因为它表现出丰富的物理性质如隧道磁电阻效应(TMR),巨霍尔效应,高频软磁性能等,而且由于它在磁传感器、磁电阻读出头、高频磁性器件等方面具...
- 池俊红
- 关键词：绝缘介质颗粒膜
- 文献传递
- 不连续Fe25Ni75/SiO2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数)。研究发现,对[SiO(3.3 nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4 nm...
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 文献传递
- Co38(MgF2)62纳米颗粒膜的巨磁电阻效应研究
- 利用射频共溅射方法制备了Co<,38>(MgF<,2>)<,62>纳米颗粒膜,系统的研究了薄膜的微结构、磁性和隧道磁电阻(TMR)效应.X射线衍射结果显示,颗粒膜是由3nm左右的Co颗粒均匀地镶嵌在晶态的MgF<,2>绝...
- 池俊红刘春明李成贤葛世慧
- 关键词：纳米颗粒膜隧道磁电阻效应磁性
- 文献传递
- FeCo-SiO_2颗粒膜的磁性和隧道磁电阻效应被引量：4
- 2000年
- 利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜, 系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻(TMR)效应. 在fv = 0.33处得到最大磁电阻值为- 3.3%. 在同样的制备条件下保持fv = 0.33, 用Co取代Fe得到一系列的(Fe100 -xCox)0.33(SiO)2)0.67的颗粒膜. 对其TMR的研究发现在x = 53时得到最大的磁电阻值- 4.5%, 且Co对Fe的替代基本没有影响薄膜的微结构. 由Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率P和Co的原子百分数x的关系曲线和实验测得的TMR-x曲线具有相似的变化趋势. 表明在FeCo-SiO2膜中由于磁性颗粒自旋极化率P的提高而使TMR变大.
- 席力张宗芝池俊红李成贤葛世慧
- 关键词：隧道磁电阻效应颗粒膜绝缘体
- Co-Ta-O颗粒膜的磁电阻效应研究
- 2001年
- 利用射频共溅射方法制备了一系列 Co- Ta- O介质颗粒膜 ,用 X射线能量色散谱和 X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态 ,用 X射线衍射测量了薄膜的晶体结构 .结果表明 ,Co- Ta-O颗粒膜系是由 Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成 .通过改变制备条件 ,研究了溅射电压和 Co成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响 .发现磁电阻比值先随 Co成分的增加而增加 ,在Co原子个数比为 2 6 %时达最大值 ,后随 Co成分的进一步增加而减小 ;在 Co成分一定的情况下 ,低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值 .
- 池俊红刘春明葛世慧
- 关键词：磁电阻隧道效应
- 衬底温度对Co38(MgF2)62颗粒膜磁电阻效应的影响
- 利用射频共溅射的方法在不同的衬底温度下制备了一系列Co<,38>(MgF<,2>)<,62>颗粒膜,系统的研究了衬底温度对薄膜的微结构、电性和隧道磁电阻效应的影响.发现随衬底温度增加,膜中颗粒逐渐长大,颗粒间距也逐渐增大...
- 池俊红刘春明李成贤葛世慧
- 关键词：磁电阻效应衬底温度
- 文献传递
- 不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 2005年
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 关键词：微结构
- La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3磁性的Preisach模拟
- 2007年
- 用溶胶-凝胶法制备了多晶La0.7Sr0.3MnO3块状样品。利用超导量子磁强计测量了样品在不同状态下的场冷却、零场冷却、等温剩磁、热剩磁曲线以及磁滞回线,分析得到了样品的技术磁化参数。用相同的一套参数,利用基于双势阱的Preisach模型再现了样品所有的磁测量曲线,得到了耗散场的大小和分布。
- 席力池俊红葛世慧李成贤刘青芳
