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罗云飞

作品数:5 被引量:15H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 5篇一般工业技术

主题

  • 4篇压电
  • 4篇压电陶瓷
  • 3篇电性能
  • 3篇相组成
  • 3篇PMSZT压...
  • 2篇三元系压电陶...
  • 2篇陶瓷
  • 2篇准同型相界
  • 2篇温度稳定性
  • 2篇显微结构
  • 2篇MN
  • 1篇合成工艺
  • 1篇钙钛矿
  • 1篇ZR
  • 1篇SB

机构

  • 5篇天津大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 5篇罗云飞
  • 5篇徐明霞
  • 5篇陆翠敏
  • 5篇孙清池

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
MnSb含量对PMSZT陶瓷电性能的影响
大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,且须具备一定的压电常数和机电耦合系数。以PZT为基础发展起来的三元系压电陶瓷与二元系相比烧结温度低,Pb O挥发少,与四元系相比工艺容易控制,重复性好,...
陆翠敏孙清池徐明霞罗云飞
关键词:钙钛矿电性能准同型相界
文献传递
Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_xTi_(0.95-x)O_3压电陶瓷准同型相界附近的性能被引量:11
2005年
以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备锑锰锆钛酸铅三元系压电陶瓷。研究了组成为Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05ZrxTi0.95-xO3(PMSZT)压电陶瓷的相组成、显微结构、电性能及温度稳定性。结果发现:该体系的准同型相界位于锆摩尔含量x=0.47附近;所有组成样品介电峰附近的相变都表现为弥散性相变特征;准同型相界附近谐振频率的相对变化率较小;在锆含量x=0.47的准同型相界处PMSZT综合性能达到最佳值:ε33T/ε0=1420,d33=324pC/N,Kp=62%,Qm=2400,tanδ=0.0029,这可以满足大功率陶瓷材料的应用。
陆翠敏孙清池徐明霞罗云飞
关键词:三元系压电陶瓷相组成温度稳定性准同型相界
MnSb含量对PMSZT压电陶瓷性能的影响被引量:2
2005年
以固态氧化物为原料,采用传统方法制备PMSZT大功率压电陶瓷.研究MnSb含量对Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)yZrxTi1-x-yO3陶瓷的相组成、显微结构及电性能的影响.结果发现:Zr含量x=0.47,MnSb含量y=0.05时,组成处于准同型相界,晶粒致密均匀.随着MnSb含量的增加,居里温度降低.电性能在此组成处最佳:ε33T/ε0=1420,d33=320pC/N,Kp=O.624,Qm=2400,tanδ=0.0030.Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3陶瓷介电和压电性能良好,可以满足大功率压电材料的使用要求.
陆翠敏徐明霞孙清池罗云飞
关键词:相组成显微结构电性能
PMSZT压电陶瓷的制备工艺研究被引量:2
2006年
研究了合成工艺、烧结工艺、烧银工艺及极化工艺对PMSZT压电陶瓷相组成、显微结构及电性能的影响。结果表明,PZT压电陶瓷在合成温度为900℃时,可得钙钛矿结构;烧结温度1 240℃时,体积密度最大,综合性能达最佳。烧银温度对陶瓷性能有一定影响。随着烧银温度的升高,介电常数、介电损耗、压电常数和机电耦和系数降低。最佳极化工艺为极化温度120℃,极化电压2 500 V/mm。
罗云飞陆翠敏孙清池徐明霞
关键词:合成工艺压电陶瓷
PMSZT压电陶瓷材料的性能研究
2005年
以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PMS-PZT三元系压电陶瓷。研究组成为Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0.05ZrxTi0.95-xO3的压电陶瓷的相组成、显微结构、电性能以及温度稳定性。结果表明:合成温度900℃保温2h,可以得到钙钛矿结构。烧结温度1240℃保温2h时,综合性能达最佳值:3εT3/0ε=1420,d33=324pC/N,Kp=62%,Qm=2400,tanδ=0.0029。烧成温度影响谐振频率的变化率。提高烧成温度可以使正温范围的变化率提高,负温范围的变化率降低。
陆翠敏孙清池徐明霞罗云飞
关键词:三元系压电陶瓷相组成显微结构电性能温度稳定性
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