陆翠敏
- 作品数：56 被引量：97H指数：5
- 供职机构：天津理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金国家级大学生创新创业训练计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程金属学及工艺化学工程更多>>
- 含硅钢短时等温下贝氏体的亚结构状态及生长特征
- 贝氏体的多层次亚结构,即贝氏体的精细结构已经受到重视。贝氏体的多层次亚结构已成为贝氏体不同于珠光体和马氏体组织的重要方面,其形成本质的揭示对于认识贝氏体相变本质特征具有重要意义。本文针对短时下贝氏体等温处理获得的相变产物...
- 刘庆锁陆翠敏姜训勇薛冠鲁吴小平
- 关键词：贝氏体等温处理显微组织
- 文献传递
- Bi_(0.5)(Na_(0.8)K_(0.2-x)Li_x)_(0.5)TiO_3无铅压电陶瓷的制备及性能研究
- 2015年
- 采用固相反应方法制备Bi0.5(Na0.8K0.2-x Lix)0.5TiO3无铅压电陶瓷。研究该体系陶瓷的组成变化及烧结工艺对压电陶瓷的相组成、显微结构及电性能的影响。结果表明,混合原料的平均粒径在2μm左右,粒度呈正态分布。热分析确定了混合原料的合成温度为900℃。XRD分析表明,900℃预烧温度下,合成粉体为ABO3的钙钛矿结构,且为铁电四方相结构。SEM表明,组成在x=0.06,烧结温度为1 160℃时,能够获得烧结良好且致密度较高的陶瓷,该组成的陶瓷的电性能具有最佳值,εT33/ε0=1 160、tanδ=0.029、d33=195pC/N、kp=0.407。
- 陆翠敏董正伟汪罕陈蕾
- 关键词：无铅压电陶瓷电性能
- 含硅钢短时等温下贝氏体的亚结构形状及生长特征被引量：2
- 2009年
- 采用光学显微镜及透射电子显微镜研究了Fe-0.88C-1.35Si-1.03Cr-0.43Mn钢在200℃短时等温获得的下贝氏体的显微形貌及其精细结构。结果表明:试验钢在200℃短时等温可获得宽度几十纳米,而长度在微米数量级的条状下贝氏体,在下贝氏体针内沿纵向存在大体与贝氏体针侧边界垂直且平行排列的位错列;贝氏体针纵向前沿的母相中存在间断的、层片状应变场衬度;下贝氏体相变早期具有马氏体切变相变的特征。
- 何烜坤刘庆锁陆翠敏姜训勇
- 关键词：下贝氏体应变场
- PZT基NiTi SMA/PZT复合材料的组织结构及其压电性能研究
- 本研究采用真空直流溅射法在PZT基体上沉积NiTi SMA薄膜,再经过晶化处理而制备出PZT基NiTi SMA/PZT复合材料。使用扫描电子显微镜观察复合材料试样的表面和界面组织结构，使用ZJ-3A型准态仪、Automa...
- 吴小萍刘庆锁陆翠敏卢雪梅
- 关键词：合金薄膜压电常数
- 文献传递
- BNKT-BZN无铅压电陶瓷的制备及电学性能研究
- 2013年
- 采用传统固相法制备得到(0.8-x)Bi0.5Na0.5TiO3-0.2Bi0.5K0.5TiO3-xBi(Zn2/3Nb1/3)O3(摩尔分数0≤x≤0.06)(简称(0.8-x)BNT-0.2BKT-xBZN)无铅压电陶瓷。利用XRD、SEM等测试技术表征了该体系陶瓷的晶体结构、表面形貌及介电和压电性能。研究结果表明,所有组分的陶瓷样品均形成典型的钙钛矿结构;同一烧结温度下,随着Bi(Zn2/3Nb1/3)O3含量的增加,晶粒尺寸增加;在1 180℃烧结温度保温2h的条件下,组成为x=0.02的陶瓷样品经极化后,压电常数d33=48pC/N,相对介电常数εT33/ε0=598.9,介电损耗tanδ=0.048 45。
- 王珊陆翠敏赛玉荣郭英健李铭祁永霞
- 关键词：无铅压电陶瓷表面形貌介电性能压电性能
- 低内阻碳纳米管超级电容器研究
- 以多壁碳纳米管为电极材料制备了超级电容器。实验结果表明,碳纳米管预处理对电容器的容量影响最大,其次是电解液类型。碳纳米管涂覆方法对电容的储电性能影响最小。在实验中,最佳电容器的实验条件是:碳纳米管需经预处理,采用电泳法涂...
- 姜训勇张磊孙立伟刘庆锁陆翠敏
- 关键词：碳纳米管超级电容器电泳法内阻
- 文献传递
- 锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的MnO_2改性研究
- 2012年
- 探讨了MnO2过量对锑锰锆钛酸铅(Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3,简写为PMSZT5)压电陶瓷的性能影响。通过X线衍射(XRD)分析了PMSZT5+z%MnO2(z=0～0.7,质量分数)陶瓷的相组成。结果发现,合成温度900℃保温2h后可得到完全钙钛矿结构。随着锰含量的增大,体系从准同型相界向三方相转变。z>0.1、1 240℃烧结温度下,介电常数ε3T3/ε0、压电常数d33、机电耦合系数kp达到最佳值,即ε3T3/ε0=1 560、d33=350pC/N、kp=0.63。该组成的谐振频率fr、横向机电耦合系数k31和压电常数d31的温度稳定性与未掺杂相比有所改善。过量锰的加入使PMSZT5的居里温度降低。
- 陆翠敏刘庆锁左建波
- 关键词：相组成显微结构温度稳定性居里温度
- MnSb含量对PMSZT陶瓷电性能的影响
- 大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,且须具备一定的压电常数和机电耦合系数。以PZT为基础发展起来的三元系压电陶瓷与二元系相比烧结温度低,Pb O挥发少,与四元系相比工艺容易控制,重复性好,...
- 陆翠敏孙清池徐明霞罗云飞
- 关键词：钙钛矿电性能准同型相界
- 文献传递
- PM SZT压电陶瓷的烧结工艺研究被引量：3
- 2007年
- 大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,同时兼备一定的压电常数和机电耦合系数.当然一般说来,Qm提高的话,Kp、d33就会降低,所以我们希望在保证高Qm情况下,尽可能提高压电应变系数d33和机电耦合系数Kp.微观结构对陶瓷性能有着重要的影响,通过选择合理的烧结制度改变材料的微观结构,可以提高材料的性能.本文研究升温速度和保温时间对PMSZT大功率压电陶瓷的相组成、显微结构及电性能的影响.结果发现升温速度过快或过慢会使材料致密性下降.烧结温度1240℃保温1h时,晶粒致密均匀,居里温度最低.随着保温时间的缩短或延长,居里温度增加.电性能在保温1 h时达最佳:ε33T/ε0=1700,d33=336×pC/N,Kp=0.655,Qm=2200,tanδ=0.0030.PMSZT陶瓷介电和压电性能良好,可以满足了大功率材料的使用要求.
- 陆翠敏孙清池徐明霞韩静国
- 关键词：保温时间相组成显微结构
- 大功率基PMSZT压电陶瓷的机电性能及稳定性研究
- 大功率压电陶瓷要求材料不但在强场下有小的介质损耗,大的机械品质因数,同时兼备一定的压电常数和机电耦合系数.另外在压电器件的使用过程中,要求陶瓷的温度和时间稳定性要好.为了实现上述性能要求,本文研究了锆钛比,硬性添加物Mn...
- 陆翠敏
- 关键词：PMSZT压电陶瓷温度稳定性机电性能
