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袁愿林

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院研究生院更多>>
发文基金：苏州市科技计划项目(应用基础研究计划)江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇钝化层
  • 1篇探测器
  • 1篇核探测
  • 1篇核探测器
  • 1篇PIN
  • 1篇PIN结构
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇袁愿林
  • 1篇陆敏
  • 1篇姚昌胜
  • 1篇王果

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiO_2钝化层对GaN基PIN结构核探测器漏电流的影响被引量：2
2012年
成功地制备了有SiO2钝化层和无SiO2钝化层的GaN基PIN结构核辐射探测器,并对二者的I-V特性进行了测试。实验结果表明,SiO2钝化层的存在显著地降低了GaN基PIN结构核辐射探测器的反向漏电流,在-40V的反向偏压情况下,漏电流约有2个数量级的降低。实验过程中观测到随着反向偏压的增大,SiO2钝化层对器件反向漏电流的抑制效应更明显。建立了一种表面沟道模型解释了SiO2钝化层对漏电流的影响。
袁愿林姚昌胜王果陆敏
关键词：氮化镓PIN探测器钝化层
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