展长勇
- 作品数：36 被引量：21H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
- 一种新型多孔硅及其制备方法
- 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电...
- 展长勇任丁邹宇刘波林黎蔚黄宁康
- 一种基于回旋加速器的乏燃料萃取剂α粒子辐照系统及其辐照方法
- 本发明公开了一种基于回旋加速器的乏燃料萃取剂α粒子辐照系统及其辐照方法，该辐照系统包括依次连接的回旋加速器、束流降能与传输系统、固体/液体萃取剂辐照靶室以及在线测量与控制系统；固体/液体萃取剂辐照靶室包括真空室以及安装于...
- 杨吉军刘宁李智慧冯文杨远友廖家莉李飞泽展长勇
- 基体温度对中频脉冲非平衡磁控溅射技术沉积类金刚石薄膜结构与性能的影响被引量：1
- 2012年
- 利用中频脉冲非平衡磁控溅射技术在不同的基体温度下制备了类金刚石(DLC)薄膜,采用Raman光谱、X射线光电子能谱(XPS)、纳米压痕测试仪、椭偏仪对所制备DLC薄膜的微观结构、机械性能、光学性能进行了分析。Raman光谱和XPS结果表明,当基体温度由50℃增加到100℃时,DLC薄膜中的sp3杂化键的含量随基体温度的升高而增加,当基体温度超过100℃时,DLC薄膜中的sp3杂化键的含量随基体温度的升高而减少。纳米压痕测试表明,DLC薄膜的纳米硬度随基体温度的增加先增加而后减小,基体温度为100℃时制备的薄膜的纳米硬度最大。椭偏仪测试表明,类金刚石薄膜的折射率同样随基体温度的增加先增加而后减小,基体温度为100℃时制备的薄膜的折射率最大。以上结果说明基体温度对DLC薄膜中的sp3杂化键的含量有很大的影响,DLC薄膜的纳米硬度、折射率随薄膜中的sp3杂化键的含量的变化而变化。
- 代海洋翟凤潇陈镇平展长勇
- 关键词：类金刚石薄膜微观结构
- 动态离子束混合沉积氧化钽薄膜的微观分析被引量：2
- 2007年
- 用动态离子束混合技术在铁基材料表面上制备氧化钽薄膜。用Ar^+束溅射沉积薄膜的同时,分别用100 keV,2×10^(17)/cm^2的O^+离子或100 keV,8×10^(16)/cm^2的Ar^+进行辐照。对两种工艺下生成的氧化钽薄膜进行了XPS、AES及RBS分析研究,结果发现,Ar^+辐照下制备的氧化物薄膜主要由符合化学剂量比的Ta_2O_5化合物组成,引入的碳污染少。O^+辐照下制备的薄膜生成了低价的氧化钽,引入了大量的碳污染。
- 杜纪富展长勇黄宁康
- 关键词：XPSAES
- 一种ZnSe红外增透膜及其制备方法
- 一种红外增透膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。以3～12μm为中心波长λ<Sub>0</Sub>，在ZnSe基体(1)上顺次制备高折射率(2)和低折射率(3)的λ<Sub>0</Sub>/4～λ<Sub>0</Sub>/...
- 黄宁康展长勇汪德志
- 一种基于回旋加速器的乏燃料萃取剂α粒子辐照系统及其辐照方法
- 本发明公开了一种基于回旋加速器的乏燃料萃取剂α粒子辐照系统及其辐照方法，该辐照系统包括依次连接的回旋加速器、束流降能与传输系统、固体/液体萃取剂辐照靶室以及在线测量与控制系统；固体/液体萃取剂辐照靶室包括真空室以及安装于...
- 杨吉军刘宁李智慧冯文杨远友廖家莉李飞泽展长勇
- 一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法
- 本发明公开了一种嵌入单晶硅的自封闭氧化硅纳米孔及其制备方法：在单晶硅片基体内，形成柱形氧化硅并封闭直孔空腔，表面覆盖氧化硅；首先采用电化学刻蚀制备自封闭的多孔硅，再置于镁和水的条件下缓慢氧化，即可形成嵌入单晶硅的自封闭氧...
- 展长勇邹宇刘波任丁林黎蔚
- 一种微型氚电池及其制备方法
- 本发明公开了一种微型氚电池，由若干层氚电池单元、防护材料、外壳和电极构成，其中氚电池单元是由单晶硅及其内部的氚化纳米多孔硅构成，即可减少放射源自吸收，又提高了单晶硅的利用效率。本发明公开的该微型氚电池的方法，采用电化学刻...
- 展长勇邹宇任丁伍建春刘波
- 一种氘化物快速离子束分析装置、分析系统及分析方法
- 本发明涉及核分析和测试标定领域，公开了一种氘化物快速离子束分析装置，包括用于产生<Sup>3</Sup>He离子束的加速器，以及束流管道和分析室，分析室内设置有背散射探测器、核反应探测器、第一过滤器、第二过滤器和样品台；...
- 陈宇朱敬军安竹展长勇杨吉军邹宇 詹美强
- 多孔硅表面磁控溅射沉积钛膜的形貌研究
- 采用磁控溅射的方法来分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径2.5μm、12μm、15μm的多孔硅阵列上沉积钛膜。分别讨论了加偏压和不加偏压条件下沉积的钛膜的形貌,及多孔硅的刻蚀形貌对钛膜的影响。研究表明:未加偏压时,钛膜在多孔硅阵...
- 展长勇蒋稳邹宇任丁伍建春黄宁康
- 关键词：多孔硅磁控溅射偏压
