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一种MIPM型内场发射阴极: 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下...; 邹宇展长勇林黎蔚任丁刘波黄宁康肖婷; 文献传递

钨中不同构型的双自间隙原子扩散行为研究被引量：1: 2019年; 钨作为一种重要的核材料,在辐射环境下的微观演化行为与自间隙原子缺陷的扩散行为密切相关.研究不同构型自间隙原子的扩散行为有助于全面理解材料的微观演化过程.本文采用分子动力学方法重点考察了钨中具有不同构型的双自间隙原子随温度变化的扩散行为.结果表明:彼此互为最近邻的<111>双自间隙原子,随着温度的升高,从一维扩散演变成三维扩散,在<111>方向保持稳定的最近邻结构;次近邻<111>双自间隙原子在一定温度范围内沿<111>方向一维扩散,当温度高于600 K将解离成两个独立运动的自间隙原子;而三近邻结构在温度高于300 K就将解离.非平行结构的双自间隙原子在一定温度范围内形成固着性结构,几乎不移动,但在温度高于1000 K时将转化成移动性缺陷.通过将微动弹性带算法获得的自间隙原子迁移能与阿伦尼乌斯关系拟合的结果进行对比,表明了钨中单自间隙原子和双自间隙原子的扩散系数随温度的变化规律不适于用阿伦尼乌斯关系来描述,而线性关系则能合理地描述这一规律.; 冉琴王欢钟睿伍建春邹宇汪俊; 关键词：辐照损伤分子动力学模拟

一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源: 一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源，属于小型特种离子源技术领域。主要包括：场发射阵列、泡沫金属活性薄板和加速极。泡沫金属活性薄板通过绝缘材料隔离后，放置于场发射阵列之上，其表面与场发射阵列表面平行，加速极置于泡沫金...; 邹宇展长勇伍建春; 文献传递

一种新型多孔硅及其制备方法: 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电...; 展长勇任丁邹宇刘波林黎蔚黄宁康

电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响: 2019年; 采用光电化学刻蚀方法,在电阻率为4～5 kΩ·cm的n-型[100]单晶硅片上制备了厚壁有序宏孔硅阵列。通过对比有限元法模拟诱导坑周围的电场分布,研究了刻蚀参数(电解液、光照、电压)对阵列表面形貌的影响。在刻蚀成孔的过程中,诱导坑对孔的限制受电场分布和实验条件的共同影响,出现刻蚀偏离的现象。模拟结果显示,诱导坑上的电场强度沿着单晶硅的[100]和[110]晶向的分布。这种分布的结果是,随着光照强度的提高和刻蚀溶液表面自由能的降低刻蚀由原光刻图形的(110)面向(100)面偏离。提高刻蚀电压可抑制刻蚀偏离,有利于诱导坑快速刻蚀成孔,从而形成规整的厚壁宏孔硅阵列。; 安欢伍建春张仲王欢孙华展长勇邹宇; 关键词：表面形貌

一种微型氚电池及其制备方法: 本发明公开了一种微型氚电池，由若干层氚电池单元、防护材料、外壳和电极构成，其中氚电池单元是由单晶硅及其内部的氚化纳米多孔硅构成，即可减少放射源自吸收，又提高了单晶硅的利用效率。本发明公开的该微型氚电池的方法，采用电化学刻...; 展长勇邹宇任丁伍建春刘波; 文献传递

一种染料敏化太阳能电池阳极及其制备方法: 本发明属于染料敏化太阳能电池材料领域，涉及一种染料敏化太阳能电池(DSSC)的阳极薄膜及其制备方法。阳极为(101)择优生长的锐钛矿晶型TiO<Sub>2</Sub>多孔薄膜；TiO<Sub>2</Sub>颗粒横截面为椭...; 黄宁康邹宇王治安兰晓华; 文献传递

多弧离子镀制备的耐事故燃料包壳铬涂层晶粒结构研究: 2022年; 本文通过从几十微米到几埃的多尺度表征展示了多弧离子镀制备铬涂层的详细结构.经XRD,SEM,FIB,TEM和HRTEM表征,结果显示该涂层是一种多重结构,包括表面上的微米级颗粒、缺陷带钉扎的微米或次微米级液滴、以堆垛层错为晶界的柱状晶、以刃位错和螺型位错为区分的微晶、位错末端的原子畸变以及原子排列无序化的区域.这些结构通过改变涂层的结晶度,影响了晶格常数、表面粗化和FIB溅射裂纹.此外,通过分析HTEM照片,确定了这些堆垛层错和位错的类型.最后,讨论了沉积参数对这些晶粒结构的影响.; 刘绍强宫文娟马赵丹丹陈寰王静张瑞谦邹宇杨吉军展长勇; 关键词：涂层铬多弧离子镀晶粒微观结构

钯改性多孔硅氢传感器的研究: <正>尽管多孔硅(porous silicon,PS)在氢传感方面表现出良好的应用前景,但是目前仍存在敏感性和稳定性等问题。研究表明,金属改性是稳定多孔硅电响应信号的较好方法。本文制备出新型微孔和直孔复合的多孔硅结构,并...; 安欢邹宇伍建春展长勇; 文献传递

一种新型多孔硅及其制备方法: 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电...; 展长勇任丁邹宇刘波林黎蔚黄宁康; 文献传递

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邹宇