左青云
- 作品数：13 被引量：22H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件
- 本发明涉及微电子器件及存储器技术领域，公开了一种与CMOS工艺兼容的用于交叉阵列结构存储器的整流器件，包括：上电极、下电极以及包含在上电极与下电极之间的功能层薄膜。本发明的整流器件能够提供更高的电流密度，与存储器器件串联...
- 刘明左青云龙世兵
- 基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11
- 2009年
- 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。
- 李颖弢刘明龙世兵刘琦张森王艳左青云王琴胡媛刘肃
- 关键词：非挥发性存储器I-V特性
- 一种具有非对称电学特性的阻变存储器
- 本发明公开了一种具有非对称电学特性的阻变存储器，包括：上电极；下电极；以及包含在上电极和下电极之间的具有阻变特性的阻变层薄膜。本发明的阻变存储器具有非对称的电学特性，在低阻态时具有整流作用，自身能够抑制串扰现象。本发明的...
- 刘明左青云龙世兵
- 文献传递
- 电阻转变型存储器及其制造方法
- 本发明提供一种非易失性电阻转变型存储器，其中在电阻转变存储层与电极之间设置有缓冲层，从而能够增加存储器的总电阻，进而减小存储器的工作电流，而且缓冲层还可改善界面处的势垒高度，从而降低存储器的工作电压，进而降低存储器的功耗...
- 刘明李颖弢龙世兵王琴王艳刘琦张森左青云
- 文献传递
- 一次编程存储器的多值存储方法
- 本发明公开了一种一次编程存储器的多值存储方法，属于微电子制造及存储器技术领域。一次编程存储器包括双极型阻变存储器和整流二极管，所述双极型阻变存储器和所述整流二极管之间相串联，对一次编程存储器施加至少两种不同电压值的编程电...
- 刘明左青云龙世兵
- 文献传递
- 阻变存储器及其集成技术研究进展被引量：15
- 2009年
- 在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。
- 左青云刘明龙世兵王琴胡媛刘琦张森王艳李颖弢
- 关键词：非挥发性存储器
- 一种基于阻变存储器的一次编程存储器及其制备方法
- 本发明涉及一种基于阻变存储器的一次编程存储器及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述一次编程存储器包括具有双极转换特性的阻变存储器和具有整流特性的二极管，具有双极转换特性的阻变存储器和具有整流特性的二极管之间相...
- 刘明左青云龙世兵
- 文献传递
- 一次编程存储器及其制造方法
- 本发明涉及一次编程存储器及其制造方法，属于微电子技术领域。该一次编程存储器包括下电极、上电极以及位于上电极和下电极之间的功能层薄膜；上电极或下电极与功能层薄膜之间接触形成整流特性。该一次编程存储器的制造方法包括：形成作为...
- 刘明左青云龙世兵
- 文献传递
- 阻变存储器及集成的基础研究
- 刘明刘琦管伟华龙世兵王艳吕杭炳牛洁斌左青云
- 该成果属于半导体存储技术领域。阻变存储器（RRAM)具有高密度、低功耗、高速等优异性能，是重要的下一代新型存储技术。主要发现点有：发现阻变功能层中缺陷的产生和再分布与阻变的关系规律，阐明了缺陷类型对阻变的影响；提出了功能...
- 关键词：
- 关键词：半导体存储技术
- 一种电阻转变型存储器及其制作方法
- 本发明涉及一种电阻转变型存储器及其制作方法，属于信息存储技术领域。所述存储器包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的电阻转变存储层，所述上电极和下电极均由功函数为4.5电子伏～6电子伏的材料制成，所述电阻转变存...
- 刘明李颖弢龙世兵王琴刘琦张森王艳左青云
- 文献传递
