石卓琼
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 掺Er HfO_2薄膜材料的光致发光性质被引量：1
- 2007年
- 用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.
- 夏艳王军转石卓琼施毅濮林张荣郑有炓陶镇生陆昉
- 关键词：氧化铪铒光致发光
- 掺铒氧化铪薄膜材料在1．54μm的光子和电子激发的发光特性
- 由于 Er 离子内层4f 电子的发光波长位于1．54μm,符合光纤通讯的最小吸收波长,因而掺 Er 材料在集成光电技术方面的应用引起了人们很大的兴趣。最初,人们专注于研究在 Si 基材料中掺 Er,但是在这些 Si 基材...
- 王军转夏艳石卓琼施毅濮林张荣郑有炓
- 文献传递
- 掺Er Si/Al_2O_3多层薄膜光致发光性质的研究
- 用脉冲激光沉积(PLD)的方法生长了掺Er Si(2 nm)/Al_2O_3(1.5 nm)多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火(RTA)处理。在非Er离子(Er~(3+))共振激发476 nm激光激发下,该薄膜...
- 石卓琼王军转施毅濮林郑有炓
- 关键词：纳米硅感光剂铒光致发光
- 文献传递
- 掺饵纳米硅复合薄膜发光性能研究
- 铒离子(Er3+)内层4f电子的发光波长位于1.54μm，该波长对应于石英光纤的最小损耗窗口。掺铒发光薄膜在光互连以及光电集成方面的应用引起了人们很大的兴趣。本论文叙述了掺铒发光薄膜的发展现状，对其发光原理和激发机制等做...
- 石卓琼
- 关键词：纳米硅发光性能铒离子
- 掺铒Si/Al2O3多层薄膜光致发光性质的研究
- 用脉冲激光沉积(PLD)的方法生长了掺铒Si(2nm)/Al2O3(1.5nm)多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火(RTA)处理。在非铒离子(Er3+)共振激发476nm激光激发下,该薄膜得到来自于Er3+的室...
- 石卓琼王军转施毅濮林郑有炓
- 关键词：脉冲激光沉积感光剂掺铒光致发光性质
- 文献传递
- 掺Er Si/Al_2O_3多层薄膜光致发光性质的研究
- 2008年
- 用脉冲激光沉积(PLD)的方法生长了掺Er Si(2nm)/Al2O3(1.5nm)多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火(RTA)处理。在非Er离子(Er3+)共振激发476nm激光激发下,该薄膜得到来自于Er3+的室温特征光致发光(PL)谱,波峰波长为1.54μm,说明这种掺ErSi/Al2O3多层薄膜存在间接激发发光过程,退火得到的纳米Si在其中起到感光剂作用。分析了不同的退火温度对薄膜发光强度的影响,发现退火温度700℃时薄膜发光最强,其强度是同种方法制备的掺ErAl2O3薄膜的39倍。进一步结合不同退火温度下薄膜的喇曼散射谱分析发现,700℃退火的薄膜中Si虽然仍为非晶,但其中已出现数量较多的纳米Si团簇,它们是Er3+1.54μm发光的有效感光剂,增强了Er3+发光。而当温度高于700℃后,薄膜中纳米Si团簇已逐渐结晶,出现纳米Si晶粒,同时这种纳米Si晶粒尺寸随温度升高而变大、数量变少,带来的是作为感光剂的纳米Si数量的减少,导致Er3+薄膜发光强度减弱。因此在远低于纳米Si结晶所需的温度(一般需要高于900℃)下实现了掺ErSi/Al2O3多层薄膜中Er3+1.54μm的最优发光。
- 石卓琼王军转施毅濮林郑有炓
- 关键词：纳米硅感光剂铒光致发光
- 掺铒Si/AL2O3多层膜发光性质的研究
- Er3+内层4f壳层由于受到外5s25p6壳层的屏蔽作用，其1.54μm的发光几乎不受基质材料的影响，且该波长对应于石英光纤的最小吸收窗口，在光通讯中有重要的应用。因为纳米Si光吸收截面比Er3+高出4-5个数量级，所以...
- 章新栾石卓琼王军转杨森林濮林张荣郑有炓施毅
- 关键词：石英光纤多层膜
- 文献传递
- 掺铒Si/Al2O3多层结构中结晶形态对1.54μm发光的影响
- 2009年
- 利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600—1000℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600—700℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程.
- 王军转石卓琼娄昊楠章新栾左则文濮林马恩张荣郑有炓陆昉施毅
- 关键词：铒纳米硅
