艾伟伟
- 作品数：6 被引量：44H指数：4
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：北京市教育委员会科技发展计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响被引量：10
- 2006年
- 文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善。
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- 关键词：GAN发光二极管可靠性
- InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究被引量：9
- 2006年
- 对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。
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- 关键词：氮化镓蓝光发光二极管
- Cl_2/BCl_3ICP刻蚀GaN基LED的规律研究被引量：7
- 2006年
- 研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响。研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大而增大。还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系。刻蚀SEM图表明,压强和RF功率增大会使刻蚀垂直度增大。
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- 关键词：感应耦合等离子体刻蚀刻蚀速率选择比
- GaN基发光二极管的可靠性研究进展被引量：16
- 2006年
- 高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证。本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望。
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- 关键词：氮化镓发光二极管可靠性
- 两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤被引量：2
- 2006年
- 通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采用两步刻蚀法的发光二极管的正向导通电压与反向漏电流均下降,发光亮度增大,非辐射复合比例减小,器件的发光效率和可靠性均得到了提高.
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- 关键词：刻蚀损伤I-V特性
- Cl_2/BCl_3ICP刻蚀蓝宝石研究被引量：1
- 2006年
- 由于GaN单晶制备比较困难,通常氮化物光电子器件都是制备在蓝宝石衬底上的,而氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别,使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大,影响了器件的发光效率和寿命。PSS技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石很高的硬度和化学稳定性,使其刻蚀难度较大。本文研究了ICP刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为Cl2/BCl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着ICP功率、RF功率和气体总流量的增大单调增大;随着压强的减小首先增大,继而减小。当BCl3比例为80%时,刻蚀速率最大。在BCl3流量为80 sccm,Cl2流量为20 sccm,ICP功率为2 500 W,RF功率为500 W,压强为0.9 Pa,温度为60℃时刻蚀速率达到最大值217 nm/min。
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- 关键词：ICP刻蚀蓝宝石刻蚀速率
