莫邦燹
- 作品数：34 被引量：60H指数：4
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子学系更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划“八五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>
- 一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量
- 介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造...
- 字宝俊莫邦燹倪学文张利春张广勤
- 关键词：移位寄存器电路设计测量方法VLSI芯片
- 文献传递
- BD031 MEMS信号处理电路的研制及测试
- 2004年
- 本文报道了一个为电容式微加速度计传感器信号处理而设计的全集成化的BD031 CMOS MEM信号处理电路.电路设计采用了对信号的差分电容采样方式和过采样技术、前置采样放大器高增益和低噪声设计措施、可调节选通带宽的的低通滤波器及为提高电容噪声性能的带有虚开关结构的开关电容滤波器设计技术、可微调节增益(常规情况下恒定增益为2)的输出缓冲放大器、可调节振荡频率(正常情况下为800KHz)的本地CMOS时钟产生振荡器及为上述模拟电路提供基准电压和基准电流的基准电压源等设计技术、以及可以进行输入失调调节和对差分电容变化量△C的自测试电路.电路使用单一5伏电源,采用1.2微米、双多晶硅、双铝、N-阱CMOS工艺加工,芯片面积为2.82×3.61平方毫米.芯片性能测试表明其差分小电容变化量△C传感范围达到0.06pF-5pF、带宽为300Hz-5KHz.
- 倪学文莫邦燹项斌吕志军朱晖宁宝俊张录郝一龙金玉丰田玉国
- 关键词：低通滤波
- f_T为135GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制被引量：2
- 2001年
- 利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击穿电压BVCEO 为 5V ,晶体管的截止频率fT 为13 5GHz。
- 贾霖倪学文莫邦燹关旭东张录宁宝俊韩汝琦李永康周均铭
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 一种带宽可调的连续时间滤波器的设计被引量：2
- 2006年
- 讨论了一种连续时间低通滤波器的电路结构和基本原理,介绍了调整连续时间滤波器通带频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本一致.电路采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺流片,取得了满意的结果.
- 莫邦燹项斌陈江华倪学文
- 关键词：连续时间滤波器电路设计CMOS电路
- 防病毒软件固化电路的设计
- 1991年
- 本文介绍了防病毒软件固化电路的设计方法。它利用一种容量为1K×8的MASK ROM来实现。并具体介绍了译码器和单元的设计,单元采用并联多晶硅位线,用引线孔选择码点,单元码点实现了自动编程。
- 莫邦燹吉利久倪学文盛世敏傅一玲
- 关键词：病毒ROMASIC
- 一种带宽可调的低通开关电容滤波器的设计被引量：4
- 2003年
- 介绍了一种带宽可调的二阶低通开关电容滤波器,带宽调节范围为100～500Hz,调节精度约为100Hz。该滤波器用双层金属、双层多晶硅1.2μm的N阱MOS工艺实现,用于一个加速度传感器电路中。设计着重考虑了由时钟信号引起的、严重制约开关电路性能的各种因素,通过优化开关的时序,消除了电荷注入引起的非线性效应,并采用高电源电压抑制比的折叠结构运算放大器,以减轻电源噪声的影响,从而有效地改善了电路的精度。
- 项斌倪学文莫邦燹吕志军
- 关键词：电荷注入
- 吉位规模DRAM的发展和挑战
- 2000年
- 本文从工艺技术、单元结构、单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模DRAM的发展和面临的挑战 ;
- 甘学温霍宗亮莫邦燹
- 关键词：存储器嵌入式DRAM
- 一种极点频率可调的开关电容低通滤波器的设计
- 本文讨论了开关电容滤波器的基本原理.介绍了一种低通开关电容滤波器电路和编程调整开关电容滤波器极点频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本上一致.模拟结果还表明,低频信号的信噪比比较高,即性能良好.
- 莫邦燹倪学文项斌朱晖宁宝俊
- 关键词：计算机模拟低频信号信噪比
- 文献传递
- 多晶硅发射极超高速ECL移位寄存器的设计
- 1996年
- 报道了６００门和８００门两种ＥＣＬ超高速移位寄存器；介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触和浅结薄基区等；使用这种多晶硅发射极晶体管，３μｍ特征尺寸设计的１９级环形振荡器的平均门延迟小于５０ｐｓ。给出了６００门移位寄存器的电路设计和版图设计。
- 莫邦燹张利春倪学文宁宝俊王阳元
- 关键词：多晶硅晶体管移位寄存器大规模集成电路
- 可调节频率CMOS振荡器的研制
- 本文报道了一个可调频率的CMOS振荡器电路的设计和研制.利用专用集成电路内部设计的电源基准源产生的Iref 10微安电流及外部调节端D2、D1、D0逻辑组合控制MOS管的状态,来调整振荡器产生电路的电流镜电流,控制对电容...
- 倪学文莫邦燹项斌宁宝俊张广勤朱晖张录马连荣田大宇
- 关键词：CMOS振荡器振荡频率
- 文献传递
