宁宝俊
- 作品数：40 被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教育委员会共建项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术天文地球一般工业技术更多>>
- 可调节频率CMOS振荡器的研制
- 本文报道了一个可调频率的CMOS振荡器电路的设计和研制.利用专用集成电路内部设计的电源基准源产生的Iref 10微安电流及外部调节端D2、D1、D0逻辑组合控制MOS管的状态,来调整振荡器产生电路的电流镜电流,控制对电容...
- 倪学文莫邦燹项斌宁宝俊张广勤朱晖张录马连荣田大宇
- 关键词：CMOS振荡器振荡频率
- 文献传递
- 硅器件芯片背面银系溅射金属化
- 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具...
- 张利春赵忠礼高玉芝宁宝俊王阳元
- 用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性被引量：3
- 1993年
- 研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。
- 高玉芝尹红坤宁宝俊李婷张利春侯永田张树霖
- 关键词：钝化层半导体器件氮化铝薄膜
- 一种2GHz512/256静态分频器电路的设计
- 2000年
- 介绍了一种超高速 51 2 /2 56分频器电路的设计 ,其基本结构采用静态主从 D触发器。电路采用先进的单层多晶硅发射极双极工艺制造 ,使用 3μm设计规则 ,电路的最高工作频率达到 2GHz。
- 莫邦燹倪学文宁宝俊
- 关键词：ECL电路静态分频器电路设计
- 平面工艺辐射探测器的研制被引量：3
- 2001年
- 使用高阻 Si材料 ,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器—— PIN二极管 .采取 HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小 PIN二极管的暗电流 (反向电流 ) ,这对于提高器件性能起到了关键作用 .电压为 - 5 V时 ,探测器的暗电流可达 n A/ cm2 量级 .
- 张太平张录宁宝俊田大宇刘诗美王玮张洁天郭昭乔陈世媛
- 关键词：PIN二极管少子寿命辐射探测器
- 离子注入PIN辐射探测器性能测试
- 利用先进的微电子、微机械加工技术,我们研制了300μm、450μm、600μm、800μmm和1000μm等五种离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300μm、450μm和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分...
- 陈鸿飞邹积清田大宇张太平宁宝俊张录
- 关键词：半导体探测器噪声分辨率
- 文献传递
- 制备光电探测器的方法
- 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并...
- 张太平宁宝俊田大宇张洁天张录倪学文王玮李静马连荣王兆江袁坚郭昭乔
- 文献传递
- 液氮温度下多晶硅发射区RCA器件和电路
- 本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益—温度依赖关系,...
- 叶红飞高玉芝张广勤宁宝俊莫邦燹罗葵张利春
- 关键词：温度特性多晶硅发射区
- 文献传递
- 区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究
- 2008年
- 现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。
- 梁琨张海君周地宝杨茹韩德俊张录宁宝俊
- 关键词：瞬态特性光晶体管
- 制备光电探测器的方法
- 一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计,宽引线铝覆部分场区,氯离子处理炉管,在有氢气氛的低温炉中退火,慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高,暗电流小,结电容小,响应速度快,光谱响应范围广,参数优异并...
- 张太平宁宝俊田大宇张洁天张录倪学文王玮李静马连荣王兆江袁坚郭昭乔
- 文献传递
