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陈杰智

作品数：17 被引量：2H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇单电子晶体管
  • 6篇电子束直写
  • 6篇纳米
  • 6篇晶体管
  • 6篇抗蚀剂
  • 5篇隧道结
  • 5篇刻蚀
  • 4篇电子束抗蚀剂
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇多晶硅栅
  • 4篇绝缘体上硅
  • 4篇硅栅
  • 4篇干法刻蚀
  • 4篇SOI
  • 3篇电子束曝光
  • 3篇输运
  • 3篇漏电
  • 3篇版图
  • 2篇电子器件

机构

  • 11篇中国科学院微...
  • 9篇南京大学

作者

  • 17篇陈杰智
  • 15篇刘明
  • 13篇龙世兵
  • 8篇郑有炓
  • 7篇陈宝钦
  • 6篇濮林
  • 5篇施毅
  • 3篇李志刚
  • 3篇施毅
  • 2篇王琴
  • 1篇张建宏
  • 1篇李泠

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积...
龙世兵陈杰智刘明陈宝钦
文献传递
纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法
纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法，以(100)晶向的SOI为衬底；采用热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度；旋涂电子束抗蚀剂，以电子束曝光剂量进行电子束直写工艺；以扫描电子显微镜S...
施毅陈杰智濮林郑有炓龙世兵刘明
文献传递
纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法
纳米点结构制备中电子束直写版图的图形补偿方法，以(100)晶向的SOI为衬底；采用热氧化和缓冲氢氟酸BHF对SOI表层硅处理以获得需要的表层硅厚度；旋涂电子束抗蚀剂，以电子束曝光剂量进行电子束直写工艺；以扫描电子显微镜S...
施毅陈杰智濮林郑有炓龙世兵刘明
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一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极...
龙世兵王琴陈杰智刘明陈宝钦
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硅基单电子晶体管制备及输运特性
硅基单电子晶体管(SET)具有低功耗和高集成度的特点，将在未来大规模集成器件中具有重要作用。近年来，随着研究工作的深入，特别是微纳加工技术提高，硅基单电子晶体管已经在室温下观测到库仑振荡和负微分电导现象，并已制作成多种逻...
陈杰智
关键词：输运特性
一种纳米级库仑岛结构的制备方法
本发明公开了一种纳米级库仑岛结构的制备方法，包括：A、在衬底的导电层上涂敷电子抗蚀剂；B、对涂敷的电子抗蚀剂进行前烘；C、对电子抗蚀剂进行电子束直写曝光；D、对曝光后的抗蚀剂进行显影；E、对显影后的电子抗蚀剂进行定影；F...
龙世兵陈杰智李志刚刘明陈宝钦
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一种纳米级库仑岛结构的制备方法
本发明公开了一种纳米级库仑岛结构的制备方法，包括：A.在衬底的导电层上涂敷电子抗蚀剂；B.对涂敷的电子抗蚀剂进行前烘；C.对电子抗蚀剂进行电子束直写曝光；D.对曝光后的抗蚀剂进行显影；E.对显影后的电子抗蚀剂进行定影；F...
龙世兵陈杰智李志刚刘明陈宝钦
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高增益调节系数硅单电子晶体管的输运特性
2007年
为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度,提高增益调节系数,发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化的制备工艺.在室温下对器件的电学特性进行测量,观察到了典型的库仑振荡效应和负微分电导效应.基于量子点能级分立模型,分析了器件的输运原理,重点研究了强耦合作用对器件输运性质的影响.研究表明,通过控制量子点的热氧化时间,将器件量子点尺寸减小到7·6nm,增益调节系数提高到0·84.
陈杰智施毅濮林龙世兵刘明郑有炓
关键词：单电子晶体管库仑阻塞
一种SOI基顶栅单电子晶体管的制备方法
本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积...
龙世兵陈杰智刘明陈宝钦
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一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法
本发明公开了一种硅基平面侧栅单电子晶体管，包括：库仑岛，位于库仑岛两侧的源和漏，连接库仑岛与源和漏的两个隧道结，位于库仑岛两侧且垂直于源和漏所在方向上的两个侧栅，源上沉积的源电极，漏上沉积的漏电极，以及侧栅上沉积的栅电极...
龙世兵陈杰智李志刚刘明陈宝钦
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