龙飞
- 作品数：13 被引量：37H指数：3
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析被引量：6
- 2002年
- 叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。
- 张顾万龙飞阙蔺兰
- 关键词：LPCVD淀积多晶硅发雾
- PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究被引量：20
- 2001年
- 对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究 ,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件 ,制作出了高质量的氮化硅介质膜。对样品进行了湿法腐蚀和超声实验 ,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。
- 张顾万龙飞
- 关键词：PECVD氮化硅介质膜
- 高分辨率4096×96 TDI可见光CCD的研制
- 采用硅工艺,实现了高分辨率4 096 ×96 TDI可见光CCD设计及制作。本文介绍了高分辨率4 096×96 TDI可见光CCD的结构设计及制作,给出了测试结果。
- 李仁豪蒋志伟龙飞
- 关键词：TDICCD高分辨率
- 文献传递
- 黑硅微结构光敏二极管被引量：3
- 2015年
- 与平面硅相比,黑硅对0.25～2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率提高了65%。
- 王文革李华高龙飞李睿智李平张昌丽李益
- 关键词：光敏二极管量子效率
- 减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究被引量：3
- 2011年
- 为了研制出高性能电荷耦合器件(CCD),减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压(SPV)法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM(H2SO4/H2O2)→SC-1清洗,去除Fe离子污染的效果比较差;用SPM→SC-1→SC-2清洗,去除Fe离子杂质的效果较好,Fe离子污染减少了2个数量级。增加SC-1和SC-2清洗次数可以减少Fe离子沾污,但效果不明显。当化学试剂中金属杂质含量由1×10-8 cm-3减少到1×10-9 cm-3,清洗工艺Fe离子沾污减少到8.0×1010 cm-3。
- 廖乃镘龙飞罗春林雷仁方李贝李仁豪
- 关键词：硅片清洗电荷耦合器件表面光电压
- LPCVD多晶硅形貌对氧化层击穿特性的影响被引量：3
- 2013年
- 多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多晶硅形貌对击穿特性的影响。研究结果表明,减小多晶硅表面颗粒尺寸有助于改善多晶硅氧化层击穿特性。多晶硅氧化层击穿特性与多晶硅和绝缘层交界面的平滑度有关。多晶硅薄膜表面平整度变差,则多晶硅与氧化层之间的界面平滑性变差,多晶硅介质层击穿强度降低。
- 龙飞廖乃镘向华兵罗春林阙蔺兰李仁豪
- 关键词：击穿强度多晶硅
- 反应离子刻蚀氮化硅过程的损伤研究
- 2010年
- 针对反应离子刻蚀氮化硅过程中无图形60nm栅氧的等离子体损伤问题进行了研究。采用接触电势差技术研究了反应刻蚀中电荷在硅片表面上的沉积,利用非接触式CV测试技术研究了Si/SiO2界面态的变化。研究表明,电荷沉积与Si/SiO2界面态密度增加有较好的对应关系,电荷沉积较多的区域具有更高的界面态密度。然而,电荷沉积量与界面态密度不成正比例。
- 廖乃镘罗春林龙飞向鹏飞阙蔺兰李仁豪
- 关键词：反应离子刻蚀
- 浮胶引起的缺陷对CCD成像的影响分析
- 2013年
- 针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源。在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题。最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法。
- 龙飞张故万吴可廖乃鏝李仁豪
- 关键词：CCD光刻
- 高分辨率4 096×96 TDI可见光CCD的研制
- 本文采用硅工艺,实现了高分辨率4096×96TDI可见光CCD设计及制作.本文介绍了高分辨率4096×96TDI可见光CCD的结构设计及制作,给出了测试结果.
- 李仁豪蒋志伟龙飞
- 关键词：TDICCD高分辨率
- 1024×1024全帧CCD器件被引量：1
- 2011年
- 采用2μm设计规则,在2μm工艺线上,成功研制了1 024×1 024全帧CCD器件。该1 024×1 024全帧CCD器件的有效像元数为1 024×1 024,像元尺寸为11μm×11μm,有效光敏面积为11.3mm×11.3mm,光响应波长范围为400～1 100nm。成像区域横向分为2个区,纵向分为2个区,可由1路、2路和4路输出,有9种读出模式。该器件具有2×2的像元合并功能,能作为512×512(像元尺寸为22μm×22μm)和规格的器件使用。该器件数据速率为4×40M,数据速率高。器件采用MPP工作模式,暗电流低;采用薄栅氧化,具有100krad(Si)抗辐照能力;适合在高温、辐照环境和微光环境下成像应用。
- 翁雪涛唐遵烈周建勇龙飞
- 关键词：CCD抗辐射
