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李仁豪

作品数:28 被引量:35H指数:3
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇CCD
  • 9篇电荷耦合
  • 9篇电荷耦合器
  • 9篇电荷耦合器件
  • 7篇TDI
  • 4篇可见光
  • 3篇电路
  • 3篇读出电路
  • 3篇沾污
  • 3篇铁离子
  • 3篇可见光CCD
  • 3篇红外
  • 3篇分辨率
  • 3篇高分辨率
  • 3篇表面光电压
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光电

机构

  • 28篇重庆光电技术...
  • 1篇四川大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 28篇李仁豪
  • 8篇龙飞
  • 8篇廖乃镘
  • 4篇罗春林
  • 4篇向华兵
  • 4篇雷仁方
  • 3篇张坤
  • 3篇蒋志伟
  • 3篇阙蔺兰
  • 3篇李贝
  • 3篇向鹏飞
  • 2篇彭秀华
  • 2篇陈红兵
  • 2篇刘昌林
  • 2篇张故万
  • 2篇许宏
  • 1篇陈捷
  • 1篇向勇军
  • 1篇游志朴
  • 1篇钟四成

传媒

  • 25篇半导体光电
  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1997
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善
2003年
 高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级。
唐有青李恒游志朴张坤李仁豪李作金
关键词:二极管漏电流
高分辨率4096×96 TDI可见光CCD的研制
采用硅工艺,实现了高分辨率4 096 ×96 TDI可见光CCD设计及制作。本文介绍了高分辨率4 096×96 TDI可见光CCD的结构设计及制作,给出了测试结果。
李仁豪蒋志伟龙飞
关键词:TDICCD高分辨率
文献传递
工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究被引量:1
2010年
采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50%,典型值为20~30pA/cm2。
雷仁方许宏曾武贤李仁豪
关键词:MPPCCD工艺过程暗电流密度少子寿命
一种单片集成的光接收电路的设计被引量:1
2016年
基于一种光接收器件的电路结构,利用硅基BJT工艺对光电二极管和接收电路进行了设计。通过引入辅助开关电路以及双结光电二极管,提高了输出晶体管的关断速度。测试结果显示,该光接收电路在870nm波长下的数据速率可达到10MBd。
邓光平向勇军刘昌举钟四成李仁豪
关键词:跨阻放大器光电二极管光通信
消除CCD不良背景的工艺研究被引量:1
2008年
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
李平郑杏平李仁豪雷仁方许宏韩恒利陈捷张故万汪琳
关键词:电荷耦合器件栅介质本征吸杂低温退火
4×128元HgCdTe红外焦平面TDI CCD信号处理器件被引量:2
1998年
采用三相埋沟结构,设计并研制成功用于高背景下红外探测器的高灵敏度4×128元TDICCD信号处理器件。器件转移效率99.99%,动态范围60dB,时钟频率10MHz。文章详细阐述该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。
李冬明李仁豪
关键词:TDICCD红外焦平面技术电荷耦合器件
高分辨率4 096×96 TDI可见光CCD的研制
本文采用硅工艺,实现了高分辨率4096×96TDI可见光CCD设计及制作.本文介绍了高分辨率4096×96TDI可见光CCD的结构设计及制作,给出了测试结果.
李仁豪蒋志伟龙飞
关键词:TDICCD高分辨率
8×4元TDI光导型HgCdTe红外焦平面组件的研制被引量:1
2004年
 介绍了8×4元时间延迟积分(TDI)光导型HgCdTe红外焦平面的工作原理,给出了组件结构、读出电路的电气结构图、时序驱动波形图。针对组件结构,阐明了组件电路的设计原则、提高动态范围的关键技术,最后讨论了组件存在的一些问题以及今后努力的方向。
彭秀华李仁豪邓光华刘娅琳
LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
2015年
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。
廖乃镘赵志国阙蔺兰向华兵李贝李仁豪
关键词:氮化硅低压化学气相淀积表面光电压
CCD彩色滤光片的制备与集成技术研究被引量:2
2015年
介绍了彩色CCD的器件结构和成像原理,采用彩色光刻胶光刻法实现了彩色滤光片的制备,并通过分析彩色滤光片缓冲层、滤光片厚度和固化工艺等对滤光片性能的影响,获得了彩色滤光片的片上集成技术,并将其集成在512×512帧转移CCD器件上,完成了性能评价与成像验证。测试结果表明:制备的彩色滤光片主线透过率大于80%,光谱串扰小于15%,色纯度大于75%,集成该滤光片的彩色CCD成像色彩空间与sRGB相当,能够满足大多数CCD相机彩色成像的要求。
黄建向鹏飞陈红兵李仁豪
关键词:CCD彩色滤光片彩色CCD
共3页<123>
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