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代京京

作品数：109 被引量：17H指数：3
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 91篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 44篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 53篇激光
  • 38篇激光器
  • 18篇相干
  • 18篇光子
  • 17篇VCSEL
  • 16篇半导体
  • 15篇光纤
  • 13篇光电
  • 12篇连续谱
  • 12篇超连续
  • 12篇超连续谱
  • 11篇半导体激光
  • 10篇级联
  • 10篇半导体激光器
  • 9篇外腔
  • 9篇光束
  • 8篇单晶
  • 7篇双向反射分布...
  • 7篇探测器
  • 7篇外腔反馈

机构

  • 108篇北京工业大学
  • 13篇北京空间机电...
  • 7篇陕西科技大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 108篇代京京
  • 93篇王智勇
  • 53篇兰天
  • 14篇李颖
  • 11篇葛廷武
  • 9篇张彤
  • 9篇黄瑞
  • 8篇于峰
  • 8篇赵思思
  • 6篇高静
  • 5篇张文启
  • 5篇叶征宇
  • 5篇王璞
  • 4篇曹银花
  • 4篇李冲
  • 2篇尧舜
  • 2篇刘学胜
  • 2篇庞晓林
  • 2篇李景
  • 1篇伍剑

传媒

  • 5篇光电技术应用
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇物理学报
  • 2篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇光电工程
  • 1篇激光与红外

年份

  • 5篇2024
  • 7篇2023
  • 34篇2022
  • 23篇2021
  • 9篇2020
  • 9篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 2篇2010
共 109 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs-OI复合晶圆的制备方法
本发明公开了一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs‑OI复合晶圆的制备方法，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层；在化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制...
代京京王智勇兰天
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SOI基单片横向集成HBT和CMOS的外延结构及制备方法
本发明公开了SOI基单片横向集成HBT和CMOS的外延结构及制备方法，该外延结构由横向集成在同一SOI衬底上的多个GaAs基HBT和多个CMOS构成；制备方法为：在SOI衬底基础上生长InGaAs缓冲层，再在InGaAs...
代京京王智勇兰天李颖
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一种光子级自适应高灵敏度空间微弱目标探测系统及探测方法
本发明公开了一种光子级自适应高灵敏度空间微弱目标探测系统及探测方法，包括：激光发射单元，用于向目标探测区域发射自适应调频单模激光，辐照目标探测区域中的空间微弱目标；目标反射激光脉冲，产生反射回波光信号；探测单元，用于对回...
代京京赵思思王智勇张景豪郑永超
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一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列
本发明公开了一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列，VCSEL相干阵列为大孔径阵列发光结构，包括N电极层、N型DBR、有源区层、P型DBR和P电极层；在VCSEL相干阵列的每个发光单元台面上的出光孔表面刻蚀有六...
代京京罗建军王智勇李尉
一种GaInP/GaAs/Ge/Si四结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种GaInP/GaAs/Ge/Si四结太阳能电池及其制备方法，太阳能电池自下而成依次包括：Si衬底、Si子电池、Ge膜、Ge子电池、GaAs子电池和GaInP子电池；GaInP子电池顶部AlInP或者GaI...
王智勇黄瑞兰天代京京李颖
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中远红外超连续谱光纤激光器
本发明的中远红外超连续谱光纤激光器，涉及激光光电子领域，包括脉冲光纤激光器、石英光子晶体光纤、无源中红外硫系玻璃光纤、无源中远红外硫系玻璃光纤、滤波器、激励源和掺杂稀土离子的硫系玻璃光纤，脉冲光纤激光器发出的脉冲激光，通...
王智勇高静葛廷武代京京
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一种SOI材料的制备方法
一种SOI材料的制备方法，涉及半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1)在表面覆有SiO<Sub>2</Sub>的硅片A中注入低熔点金属离子，形成金属离子富集层；2)将离子注入后的硅片与另一支撑硅片B进行亲水键合；3)将键...
王智勇李颖兰天周广正黄瑞代京京
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一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法
本发明公开了一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法，衬底的一侧依次形成有掺杂镧系稀土元素的泵浦源VCSEL半导体激光外延结构、第一反射层；衬底的另一侧依次形成有电吸收调制结构、第二反射层。本发明利用泵...
王智勇代京京兰天
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一种光模式调制光子级联激光器及制备方法
本发明公开了一种光模式调制光子级联激光器及制备方法，包括：GaAs衬底；GaAs衬底的一侧依次形成有信号光上反射层、光子级联层、泵浦光有源区和泵浦光下反射层，GaAs衬底的另一侧依次形成光模式调制层和增反膜；光子级联层自...
代京京王智勇兰天
一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法
本发明公开了一种两相阵VCSEL激光光束控制装置及制备方法包括：VCSEL内腔层和第一液晶外腔层；VCSEL内腔层为在晶圆上生长的VCSEL外延结构，VCSEL外延结构上制备出按照一定周期性排列的发光单元；第一液晶外腔层...
曹银花宗梦雅王智勇代京京
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