兰天
- 作品数：132 被引量：57H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺理学更多>>
- 一种外腔VCSEL激光阵列互注入动力学建模仿真方法
- 本发明公开了一种外腔VCSEL激光阵列互注入动力学建模仿真方法，包括：设定具有多高阶横模的外腔VCSEL激光阵列的结构参数以及驱动外腔VCSEL激光阵列正常运转的工作条件；基于L‑K速率方程模型建立外腔VCSEL激光阵列...
- 兰天马万里王智勇
- 一种基于MATLAB的VCSEL阵列外腔锁相过程的动力学建模仿真方法
- 本发明公开了一种基于MATLAB的VCSEL阵列外腔锁相过程的动力学建模仿真方法，包括：设定VCSEL阵列的工作条件及结构参数；建立外腔反馈作用下VCSEL阵列单元动力学特性的数学模型；调用MATLAB内嵌ODE函数求解...
- 兰天王智勇马艳红
- 基于楔形微透镜补偿半导体激光阵列指向偏差被引量：1
- 2021年
- 针对半导体激光阵列的发光单元指向性偏差导致快轴光束质量显著劣化的现象,研究了发光单元指向性偏差对快轴光束质量的影响,提出了一种利用微光学元件补偿发光单元指向性偏差的方法,设计了一种楔形微透镜阵列,可实现单个bar条的光束耦合进芯径200μm、NA=0.2的光纤。模拟计算结果表明,楔形微透镜阵列的补偿作用可使半导体激光阵列快轴方向的光参数积由64.24 mm·mrad下降到58.14 mm·mrad,光纤耦合效率达到95.6%,相比补偿前提高了10.4%。为降低工艺难度,采用分类补偿的方法,模拟光纤耦合效率达到91.5%。考虑到工业应用,采用由三片楔形透镜组成的透镜组对分类后的发光单元光束分别进行补偿,测量得到的光纤耦合效率为90.4%,比补偿光束指向性之前的耦合效率提高了约7%。
- 孟娇曹银花秦文斌刘友强李景郭照师兰天关娇阳潘建宇王智勇
- 关键词：半导体激光阵列光束质量
- 一种全色堆栈式外延的Micro-LED阵列制备方法
- 一种全色堆栈式外延的Micro‑LED阵列制备方法，属于半导体技术领域。堆栈式红、蓝、绿三色发光单元以三列为一周期，其外延结构自下而上在同一导电衬底上堆栈式外延红、绿、蓝三种发光单元作为发光单元，之后再利用掩膜和湿法刻蚀...
- 王智勇兰天
- 一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
- 本发明公开了一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，包括：n‑Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As单晶片；n‑Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As单晶片的上下表面掺杂形...
- 王智勇黄瑞兰天
- 一种质子注入栅格VCSEL及其制备方法
- 一种质子注入栅格VCSEL及其制备方法，属于半导体技术领域。所述的VCSEL包括一导电GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaAs/AlAs的DBR、AlGaAs下限制层、多量子阱发光区、AlGaAs上限制层、一次...
- 王智勇周广正李颖兰天
- 文献传递
- 一种相干阵激光器的无透镜聚焦装置及方法
- 本发明公开了一种相干阵激光器的无透镜聚焦装置及方法，包括：相干阵激光器、二元光学微结构基底和二元光学微结构；二元光学微结构通过二元光学微结构基底设置在相干阵激光器的输出端上，二元光学微结构的结构微元、二元光学微结构基底的...
- 王智勇代京京兰天
- 一种异带泵浦1550nm的光子级联VCSEL激光器及制备方法
- 本发明公开了一种异带泵浦1550nm的光子级联VCSEL激光器及制备方法，衬底上的VCSEL芯片外延结构自衬底侧向上依次包括：N型DBR层、N型全反射DBR层、稀土元素掺杂层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化...
- 王智勇代京京兰天李胜南
- 一种振荡放大式相干阵边发射半导体激光器及制备方法
- 本发明公开了一种振荡放大式相干阵边发射半导体激光器及制备方法，包括：包括：半绝缘衬底和形成于半绝缘衬底上表面的外延层；外延层的上表面依次设置有一维单模脊波导阵列区、振荡放大区和相位光栅区，一维单模脊波导阵列区与振荡放大区...
- 王智勇齐军兰天
- 一种LNOI基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法
- 本发明公开了一种LNOI基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法，LNOI结构顶部的LN层作为第一波导芯层，第一波导芯层为反向楔形结构；第一波导芯层上覆盖有具有固定宽度的第二波导芯层，第二波导芯层的折射率小于第一波导芯层的折...
- 王智勇李颖兰天
- 文献传递
