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任兴荣

作品数：7 被引量：58H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 4篇双极晶体管
  • 4篇晶体管
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁脉冲
  • 2篇高功率微波
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电热
  • 1篇电热特性
  • 1篇信号
  • 1篇样式
  • 1篇噪声系数
  • 1篇数值仿真
  • 1篇损伤阈值
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲作用
  • 1篇二次击穿
  • 1篇二极管
  • 1篇仿真

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇任兴荣
  • 6篇柴常春
  • 5篇杨银堂
  • 5篇马振洋
  • 2篇乔丽萍
  • 2篇史春蕾
  • 1篇冷鹏
  • 1篇席晓文
  • 1篇陈斌
  • 1篇张冰

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
电磁脉冲作用下二极管二次击穿电热特性被引量：5
2013年
对p-n-n+二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真,研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及端电压和端电流随电磁脉冲作用时间的变化,探索了二次击穿触发温度、触发电流和触发能量随延迟时间的变化规律.研究结果表明,电磁脉冲作用下二极管的二次击穿属于热二次击穿,电流集中并非二次击穿发生的必要条件,触发温度和触发电流随延迟时间的减小而增大,但触发能量则随延迟时间的减小而减小,仿真得到的电磁脉冲损伤能量阈值与实验数据吻合较好.
任兴荣柴常春马振洋杨银堂
关键词：电磁脉冲二极管二次击穿损伤阈值
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理被引量：10
2013年
建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧毁点位于发射结柱面区;而在高脉冲幅度下,由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁;BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小,而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势,因而存在一个极小值和一个极大值.仿真与实验结果的比较表明,本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置,而且能够得到损伤能量.
任兴荣柴常春马振洋杨银堂乔丽萍史春蕾
关键词：双极晶体管
双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理被引量：19
2010年
针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.
柴常春席晓文任兴荣杨银堂马振洋
关键词：双极晶体管
双极晶体管微波损伤效应与机理被引量：12
2012年
结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信号作用时间的变化,研究了频率为1 GHz的等效电压信号由基极和集电极注入时双极晶体管的损伤效应和机理.结果表明集电极注入时器件升温发生在信号的负半周,在正半周时器件峰值温度略有下降,与集电极注入相比基极注入更容易使器件毁伤,其易损部位是B-E结.对初相分别为0和π的两个高幅值信号的损伤研究结果表明,初相为π的信号更容易损伤器件,而发射极串联电阻可以有效的提高器件的抗微波损伤能力.
马振洋柴常春任兴荣杨银堂陈斌
关键词：双极晶体管高功率微波
不同样式的高功率微波对双极晶体管的损伤效应和机理被引量：8
2013年
结合Si基n+-p-n-n+外延平面双极晶体管,通过分析器件内部的温度分布变化以及电流密度和烧毁时间随信号幅值的变化关系,研究了其在三角波信号、正弦波信号和方波脉冲信号等三种样式的高功率微波信号作用下的损伤效应和机理.研究表明,三种高功率微波信号注入下器件的损伤部位都是发射结,在频率和信号幅值相同的情况下方波脉冲信号更容易使器件损伤;位移电流密度和烧毁时间随信号幅值的增大而增大,而位移电流在总电流所占的比例随信号幅值的增大而减小;相比于因信号变化率而引起的位移电流,信号注入功率在高幅值信号注入损伤过程中占主要作用.利用数据分析软件,分别得到了三种信号作用下器件烧毁时间和信号频率的变化关系式.结果表明,器件烧毁时间随信号频率的增加而增加,烧毁时间和频率都符合t=afb的关系式.
马振洋柴常春任兴荣杨银堂乔丽萍史春蕾
关键词：双极晶体管高功率微波
半导体器件的电磁损伤效应与机理研究
电磁脉冲炸弹和高功率微波武器等新概念电子战武器的快速发展以及雷达和无线通信系统的广泛使用使得电子系统面临的电磁环境日益复杂化,另一方面半导体器件和集成电路特征尺寸的不断缩小、功耗的不断降低以及工作频率的不断提高使得电子系...
任兴荣
关键词：半导体器件电磁脉冲数值仿真
集成Si基低噪声放大器的注入损伤研究被引量：13
2010年
Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)分析和表面形貌(SEM)分析.SEM分析表明,不同能量作用下的样品其内部无源电阻和晶体管基极分别出现了异常,而对比正常和异常区域的EDS谱表明电极异常区域的组分有明显变化.ADS2004A的仿真结果表明,能量作用后电阻损伤阻值增大引起LNA噪声系数和增益特性退化.实验结果表明,LNA噪声系数NF对能量的作用更敏感,能量注入对NF的影响远强于其对增益的影响,噪声系数NF的变化应作为Si基LNA能量作用损伤的判据之一.
柴常春张冰任兴荣冷鹏
关键词：低噪声放大器噪声系数
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