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马振洋

作品数：7 被引量：46H指数：5
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家部委预研基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇双极晶体管
  • 5篇晶体管
  • 3篇高功率微波
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁脉冲
  • 1篇电热
  • 1篇电热特性
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇信号
  • 1篇亚微米
  • 1篇样式
  • 1篇异质栅
  • 1篇深亚微米
  • 1篇损伤阈值
  • 1篇碳化硅
  • 1篇微米
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲作用
  • 1篇沟道

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇马振洋
  • 6篇杨银堂
  • 6篇柴常春
  • 5篇任兴荣
  • 2篇乔丽萍
  • 2篇陈斌
  • 2篇史春蕾
  • 1篇席晓文
  • 1篇宋坤
  • 1篇贾护军

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理被引量：10
2013年
建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧毁点位于发射结柱面区;而在高脉冲幅度下,由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁;BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小,而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势,因而存在一个极小值和一个极大值.仿真与实验结果的比较表明,本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置,而且能够得到损伤能量.
任兴荣柴常春马振洋杨银堂乔丽萍史春蕾
关键词：双极晶体管
电磁脉冲作用下二极管二次击穿电热特性被引量：5
2013年
对p-n-n+二极管在电磁脉冲作用下的二次击穿过程进行了二维瞬态电热仿真,研究了二次击穿过程中二极管内部的电场和电流密度分布以及端电压和端电流随电磁脉冲作用时间的变化,探索了二次击穿触发温度、触发电流和触发能量随延迟时间的变化规律.研究结果表明,电磁脉冲作用下二极管的二次击穿属于热二次击穿,电流集中并非二次击穿发生的必要条件,触发温度和触发电流随延迟时间的减小而增大,但触发能量则随延迟时间的减小而减小,仿真得到的电磁脉冲损伤能量阈值与实验数据吻合较好.
任兴荣柴常春马振洋杨银堂
关键词：电磁脉冲二极管二次击穿损伤阈值
改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响
2012年
基于器件物理分析方法,结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型,分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基栅场效应晶体管沟道电势、夹断电压以及栅下电场分布的影响.通过与传统栅结构器件特性的对比表明,异质栅结构在碳化硅肖特基栅场效应晶体管的沟道电势中引入了多阶梯分布,加强了近源端电场;另一方面,相比于双栅器件,改进型异质栅器件沟道最大电势的位置远离源端,因此载流子在沟道中加速更快,在一定程度上屏蔽了漏压引起的电势变化,更好抑制了短沟道效应.此外,研究了不同结构参数的异质栅对短沟道器件特性的影响,获得了优化的设计方案,减小了器件的亚阈值倾斜因子.为发挥碳化硅器件在大功率应用中的优势,设计了非对称异质栅结构,改善了栅电极边缘的电场分布,提高了小栅长器件的耐压.
宋坤柴常春杨银堂贾护军陈斌马振洋
关键词：碳化硅异质栅短沟道效应
双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理被引量：19
2010年
针对典型n+-p-n-n+结构的双极晶体管,从器件内部电场强度、电流密度和温度分布变化的分析出发,研究了在强电磁脉冲(electromagnetic pulse,EMP)作用下其内在损伤过程与机理.研究表明,双极晶体管损伤部位在不同幅度的注入电压作用下是不同的,注入电压幅度较低时,发射区中心下方的集电区附近首先烧毁,而在高幅度注入电压作用下,由于基区-外延层-衬底构成的PIN结构发生击穿,导致靠近发射极一侧的基极边缘处首先发生烧毁.利用数据分析软件,对不同注入电压下的器件损伤功率P和脉宽T进行拟合得出了P与T之间的关系式,结果表明由于双极晶体管损伤能量的不确定性,强电磁脉冲损伤的经验公式P=AT-1(A为常数)对于双极晶体管应修正为P=AT-1.4.
柴常春席晓文任兴荣杨银堂马振洋
关键词：双极晶体管
双极晶体管微波损伤效应与机理被引量：12
2012年
结合Si基n^+-p-n-n^+外延平面双极晶体管,考虑了器件自热、高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,建立了其在高功率微波(high power microwave,HPM)作用下的二维电热模型.通过分析器件内部电场强度、电流密度和温度分布随信号作用时间的变化,研究了频率为1 GHz的等效电压信号由基极和集电极注入时双极晶体管的损伤效应和机理.结果表明集电极注入时器件升温发生在信号的负半周,在正半周时器件峰值温度略有下降,与集电极注入相比基极注入更容易使器件毁伤,其易损部位是B-E结.对初相分别为0和π的两个高幅值信号的损伤研究结果表明,初相为π的信号更容易损伤器件,而发射极串联电阻可以有效的提高器件的抗微波损伤能力.
马振洋柴常春任兴荣杨银堂陈斌
关键词：双极晶体管高功率微波
双极晶体管微波损伤效应与机理研究
随着脉冲功率技术的发展，借助各种脉冲功率手段产生的高功率微波(high-powermicrowave，HPM)使得当前的电磁环境日益恶化，电子系统更容易受到HPM的干扰和毁伤。半导体器件作为电子系统的基本组成部分，外界有...
马振洋
关键词：双极晶体管高功率微波
不同样式的高功率微波对双极晶体管的损伤效应和机理被引量：8
2013年
结合Si基n+-p-n-n+外延平面双极晶体管,通过分析器件内部的温度分布变化以及电流密度和烧毁时间随信号幅值的变化关系,研究了其在三角波信号、正弦波信号和方波脉冲信号等三种样式的高功率微波信号作用下的损伤效应和机理.研究表明,三种高功率微波信号注入下器件的损伤部位都是发射结,在频率和信号幅值相同的情况下方波脉冲信号更容易使器件损伤;位移电流密度和烧毁时间随信号幅值的增大而增大,而位移电流在总电流所占的比例随信号幅值的增大而减小;相比于因信号变化率而引起的位移电流,信号注入功率在高幅值信号注入损伤过程中占主要作用.利用数据分析软件,分别得到了三种信号作用下器件烧毁时间和信号频率的变化关系式.结果表明,器件烧毁时间随信号频率的增加而增加,烧毁时间和频率都符合t=afb的关系式.
马振洋柴常春任兴荣杨银堂乔丽萍史春蕾
关键词：双极晶体管高功率微波
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