刘志凯
- 作品数：75 被引量：72H指数：5
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- CoSi_2超薄外延膜的生长研究被引量：4
- 1998年
- 用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．
- 姚振钰张国炳秦复光刘志凯刘志凯林兰英
- 关键词：离子束外延
- 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置
- 本发明涉及离子束技术，是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置，包括弧室体和坩埚两部分，每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离，之间有排进气孔连通；弧室体内装有上下双螺旋状灯丝，增大了弧室热功率和...
- 杨少延刘志凯柴春林蒋渭生
- 文献传递
- 大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究
- 室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆...
- 刘志凯宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延
- 关键词：砷化镓X射线衍射半导体材料
- 文献传递
- 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究被引量：1
- 1993年
- 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
- 黄大定姚振钰壬治璋王向明刘志凯秦复光
- 关键词：硅单晶
- 图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究被引量：2
- 1999年
- 本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子，并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了硅化钴；而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．
- 吴正龙姚振钰刘志凯张建辉秦复光林兰英
- 关键词：金属硅化物钴
- 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究被引量：6
- 2001年
- 利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析 .用该法可生长出正化学比的ZnO ,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙 ,工艺还有待进一步改进 .
- 李庚伟吴正龙杨锡震杨少延张建辉刘志凯
- 关键词：X射线光电子能谱激光器
- 质量分离低能离子束制备极光滑类金刚石薄膜
- 本文利用质量分离的低能离子束技术沉积得到了表面极为平整的类金刚石薄膜。样品用Raman谱和原子力显微镜进行了分析。并且研究了沉积能量对表面形貌和成分的影响。
- 刘志凯廖梅勇姚振钰柴春林杨少延王占国
- 关键词：类金刚石薄膜表面形貌
- 文献传递
- 离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响被引量：2
- 2001年
- 利用质量分离的低能离子束沉积技术 ,得到了非晶碳膜 .所用离子能量为 5 0— 2 0 0eV ,衬底温度从室温到80 0℃ .在沉积的能量范围内 ,衬底为室温时薄膜为类金刚石 ,表面非常光滑 ;而 6 0 0℃下薄膜主要是石墨成分 ,表面粗糙 .沉积能量大于 140eV ,80 0℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管 .用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向 ,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理 .
- 廖梅勇秦复光柴春林刘志凯杨少延姚振钰王占国
- 关键词：非晶碳膜表面形貌离子能量沉积温度
- 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
- 2004年
- 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .
- 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯
- 关键词：X射线衍射X光电子能谱
- 低能离子束方法制备Mn-Si薄膜
- 2005年
- 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.
- 刘力锋陈诺夫柴春林杨少延刘志凯
- 关键词：低能离子束硅锰X射线衍射
