宋书林
- 作品数：18 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 离子注入法制备磁性半导体及其性质研究
- 该文开展的研究工作主要是采取离子注入的方式,结合Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体良好的电学和光学性质,在GaAs和GaN材料中掺杂过渡族元素Mn和Cr,以及稀土元素Gd.通过采用不同的分析测试手段对材料的结构、组成、光学性质和磁学性...
- 宋书林
- 关键词：离子注入磁性半导体砷化镓氮化镓
- 大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究
- 室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆...
- 刘志凯宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延
- 关键词：砷化镓X射线衍射半导体材料
- 文献传递
- 大剂量Mn离子注入GaAs的性质被引量：1
- 2005年
- 在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.
- 宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延刘志凯
- 关键词：砷化镓X射线衍射
- 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
- 2004年
- 采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2
- 李艳丽陈诺夫周剑平宋书林杨少延刘志凯
- 关键词：X射线衍射
- 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
- 2004年
- 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .
- 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯
- 关键词：X射线衍射X光电子能谱
- 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究被引量：1
- 2003年
- 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。
- 宋书林陈诺夫周剑平柴春林杨少延刘志凯
- 关键词：退火GAAS衬底
- 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法
- 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。
- 宋书林陈诺夫周剑平杨少延刘志凯柴春林
- 文献传递
- 离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究
- 采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体。借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0...
- 宋书林陈诺夫尹志岗柴春林杨少延刘志凯
- 关键词：磁性半导体
- 文献传递
- 离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
- 2005年
- 利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向.当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,改进工艺条件可消除部分缺陷.
- 周剑平柴春林杨少延刘志凯宋书林李艳丽陈诺夫林元华
- 关键词：晶体结构XPS
- Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究被引量：4
- 2003年
- 采用离子束技术 ,在n型硅基片中注入稀土元素钆 ,制备了磁性 非磁性p n结 .磁性层GdxSi1 -x表现出优良的磁学性能 ,高居里温度 ,高原子磁矩 (利用RKKY模型可以得到解释 ) ,低矫顽力 ,并保持着半导体的属性 ,磁性 非磁性p n结具有整流特性 。
- 周剑平陈诺夫宋书林柴春林杨少延刘志凯林兰英
- 关键词：离子束外延磁性整流特性钆稀磁半导体
