孙宇凯
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 平面有限点集的分划问题
- 武利平田大增王鹏刘玉梅孙宇凯李慧敏
- 平面有限点集问题是组合与离散几何学中的一个重要研究领域，相关研究在离散与组合几何学的理论中有重要意义。该项目针对平面有限点集Erdǒs-Szekeres型问题中的分划问题，提出并研究了凸多边形分划的相关问题，确定了N(k...
- 关键词：
- 纳米硅/P3HT复合薄膜的制备及光学特性
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术和旋涂法相结合制备了纳米硅/P3HT复合薄膜.利用Raman散射、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和光致发光谱(PL)等技术对复合薄膜的微观结构及光学特性进行了分析.结果表明:氢流量的增加,可以有效钝化硅中的缺陷,提高纳米硅薄膜的晶化度;复合薄膜中纳米硅的引入改善了P3HT在短波长范围的吸收能力,但存在与P3HT辐射发光相竞争的过程;对复合薄膜的光致发光机制进行了分析.
- 滕晓云孟令海孙宇凯杨红红于威
- 关键词：纳米硅微观结构光学特性
- 初始晶硅多层薄膜光电响应及载流子输运特性被引量：1
- 2013年
- 采用等离子体化学气相沉积技术,通过交替改变H2流量,制备了多层结构的氢化初始晶硅薄膜,利用拉曼(Raman)散射、傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱和光电流谱等技术研究了薄膜的微观结构和光电响应特性.微观结构分析揭示,薄膜呈现为由纳米晶硅和非晶硅两相组成的初始晶硅结构,薄膜光学带隙随晶化度提高逐渐降低.光电流谱的结果显示,纳米硅晶粒对薄膜内部光生载流子的空间分离可有效降低其非辐射复合几率,导致薄膜光电响应峰值随晶化度的提高向短波方向移动,然而纳米硅晶粒界面缺陷对载流子的空间限制使薄膜长波谱段的光电响应显著降低.外加偏压下,观察到350～1000nm范围的光电响应,表明外加偏压可促进光生载流子的有效收集.分析表明,纳米硅晶粒内部电子-空穴对的空间分离及界面载流子激发的共同作用,导致薄膜光电响应及外量子效率大幅增加和峰位的红移.实验结果为初始晶硅高效太阳电池的载流子输运控制提供了基础数据.
- 于威朱海荣赵一孙宇凯卢海江傅广生
- 关键词：光电响应
