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锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的低温烧结与性能研究: 压电陶瓷是一种能实现机械能和电能相互转换的功能材料,但是现阶段绝大数压电铁电材料仍含铅,而PbO在烧结过程中具有相当大的挥发性,对人体和环境均有较大危害,因此寻找能够代替PZT的无铅压电材料成为电子材料领域的紧迫任务之一...; 崔业让; 关键词：无铅压电陶瓷压电性能钙钛矿; 文献传递

Sm_2O_3掺杂(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3-Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3无铅压电陶瓷的制备与性能被引量：8: 2012年; 采用固相合成法制备了Sm2O3掺杂的(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BCZT)无铅压电陶瓷.借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究.结果表明,Sm2O3的掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度点Tc从85℃提高到95℃.当Sm2O3掺杂量为0.02wt%～0.1wt%时,样品具有典型ABO3型钙钛矿结构.Sm2O3掺杂量为0.02wt%时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为590 pC/N、0.52、43、1.3%和3372.; 崔业让刘心宇袁昌来翟霞胡耀斌李若雯; 关键词：无铅压电陶瓷 SM2O3 压电性能

CuO/CeO_2共掺杂Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3无铅压电陶瓷性能研究被引量：5: 2012年; 采用固相反应法制备了CuO、CeO2共掺杂Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3(BCZT)无铅压电陶瓷,研究了CuO的掺杂量对所制陶瓷晶体结构、压电及介电性能的影响。结果表明:CuO的加入,进一步降低了预先经0.05%(质量分数)CeO2掺杂的BCZT陶瓷的烧结温度;在1 250℃烧结时,仍可获得纯钙钛矿结构的BCZT陶瓷。当CuO掺杂量为质量分数0.2%时,所制BCZT陶瓷具有最佳的压电性能:d33=370 pC/N,tC约为93℃,tanδ=0.0147。; 轩敏杰刘心宇马家峰袁昌来崔业让; 关键词：无铅压电陶瓷居里温度

Fe_2O_3掺杂(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3-Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3无铅压电陶瓷的制备与性能被引量：9: 2012年; 采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BCZT)无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM、阻抗分析仪等对该陶瓷的相组成、显微结构以及压电和介电性能进行了研究。结果表明,Fe2O3掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度Tc从85℃提高到95℃;当Fe2O3掺杂为0.02wt%～0.1wt%时,陶瓷样品均为ABO3型钙钛矿结构;少量Fe2O3掺杂促进了陶瓷晶粒的生长,但随着Fe2O3掺杂量进一步增加,陶瓷晶粒随之细化;当Fe2O3掺杂量为0.04wt%时,陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为400 pC/N,0.40,51,0.023和3482。; 崔业让刘心宇袁昌来胡耀斌马家峰李文华; 关键词：无铅压电陶瓷 FE2O3 压电性能

CuO掺杂对KNN-LS-BF无铅压电陶瓷性能的影响被引量：6: 2012年; 采用传统固相合成法和制备工艺,在1040℃制备了{0.996[0.95(Na0.5K0.5)NbO3-0.05LiSbO3]-0.004FeBiO3}+x mol%CuO(KNN-LS-BF+x mol%CuO)无铅压电陶瓷,研究了CuO掺杂量对陶瓷结构和性能的影响。结果表明,CuO的低温促烧作用明显,微量CuO的掺入并没有改变陶瓷体系的相结构,但对陶瓷的压电和介电性能有明显影响。随CuO掺杂量的增加,陶瓷的d33、kp、εr均是先升高后降低,并在x=0.15时,d33、kp、εr分别达到最大值222 pC/N、0.36、1223.14;Qm也是先升高后降低,不过是在x=0.3时达到了最大值66.02。而tanδ则是先降低,在x=0.45达到最小值2.5%后又开始回升。在x=0.15时,所制备压电陶瓷有最好的综合性能:d33=222pC/N,kp=0.36,εr=1223.14,tanδ=3.3%,Qm=52.27。; 翟霞王华崔业让袁昌来许积文张小文周昌荣江民红刘心宇; 关键词：无铅压电陶瓷

Bi(Fe0.9Mn0.1)O3＋σ对KNN基陶瓷的相结构及电性能的影响被引量：1: 2012年; 采用固相烧结法制备了K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-xBi(Fe0.9Mn0.1)O3+σ(KNN-LS-BF9M1)无铅压电陶瓷,研究了不同BF9M1掺杂量(x分别为0,0.002,0.004,0.006,0.008)对所制陶瓷的显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明,少量BF9M1掺杂能有效抑制KNN陶瓷晶粒的生长,促进组织致密化。当x从0增加到0.006时,样品发生正交-四方相变,同时正交-四方相变温度to-t从95℃降低到40℃;另一方面,压电性能得到明显提高、介质损耗有所降低。当x=0.006时,样品具有最好电性能:d33=260 pC/N,tanδ=2.03×10–2,kp=51.9%,εr=1 241,Qm=44.7,tC=345℃,to-t=45℃。; 胡耀斌刘心宇江民红崔业让; 关键词：无铅压电陶瓷 K0.5NA0.5NBO3 压电性能

一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO<Sub...; 刘心宇胡耀斌江民红崔业让杨华斌马家峰; 文献传递

一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO<Sub...; 刘心宇胡耀斌江民红崔业让杨华斌马家峰

一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法，其特征是：锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr<Su...; 刘心宇崔业让江民红胡耀斌袁昌来; 文献传递

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崔业让