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胡耀斌

作品数:7 被引量:16H指数:2
供职机构:桂林电子科技大学更多>>
发文基金:广西信息材料重点实验室主任基金广西壮族自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 7篇压电
  • 7篇压电陶瓷
  • 7篇陶瓷
  • 7篇无铅
  • 7篇无铅压电
  • 7篇无铅压电陶瓷
  • 5篇电性能
  • 4篇压电性
  • 4篇压电性能
  • 3篇低损耗
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电体
  • 2篇铌酸
  • 2篇铌酸钾钠
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度
  • 2篇钙钛矿
  • 2篇钙钛矿型
  • 2篇ZR
  • 2篇KNN

机构

  • 7篇桂林电子科技...
  • 3篇中南大学

作者

  • 7篇胡耀斌
  • 6篇崔业让
  • 6篇刘心宇
  • 4篇江民红
  • 3篇袁昌来
  • 3篇马家峰
  • 2篇杨华斌
  • 1篇翟霞
  • 1篇李若雯
  • 1篇李文华

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2014
  • 6篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法,其特征是:锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的化学组成通式为:(1-x)(Ba<Sub>0.85</Sub>Ca<Sub>0.15</Sub>)(Zr<Su...
刘心宇崔业让江民红胡耀斌袁昌来
文献传递
Sm_2O_3掺杂(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3-Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3无铅压电陶瓷的制备与性能被引量:8
2012年
采用固相合成法制备了Sm2O3掺杂的(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BCZT)无铅压电陶瓷.借助XRD、SEM等手段对该陶瓷的显微结构与电性能进行了研究.结果表明,Sm2O3的掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度点Tc从85℃提高到95℃.当Sm2O3掺杂量为0.02wt%~0.1wt%时,样品具有典型ABO3型钙钛矿结构.Sm2O3掺杂量为0.02wt%时,所得陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因子Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为590 pC/N、0.52、43、1.3%和3372.
崔业让刘心宇袁昌来翟霞胡耀斌李若雯
关键词:无铅压电陶瓷SM2O3压电性能
Fe_2O_3掺杂(Ba_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3-Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3无铅压电陶瓷的制备与性能被引量:9
2012年
采用固相合成法制备了Fe2O3掺杂(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BCZT)无铅压电陶瓷。借助XRD、SEM、阻抗分析仪等对该陶瓷的相组成、显微结构以及压电和介电性能进行了研究。结果表明,Fe2O3掺杂降低了BCZT无铅压电陶瓷的烧结温度并使居里温度Tc从85℃提高到95℃;当Fe2O3掺杂为0.02wt%~0.1wt%时,陶瓷样品均为ABO3型钙钛矿结构;少量Fe2O3掺杂促进了陶瓷晶粒的生长,但随着Fe2O3掺杂量进一步增加,陶瓷晶粒随之细化;当Fe2O3掺杂量为0.04wt%时,陶瓷样品具有最优综合电性能,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ和介电常数εr分别为400 pC/N,0.40,51,0.023和3482。
崔业让刘心宇袁昌来胡耀斌马家峰李文华
关键词:无铅压电陶瓷FE2O3压电性能
低损耗高性能KNN基无铅压电陶瓷的制备与性能研究
压电陶瓷是一类极其重要的电子信息功能陶瓷,已得到人类的广泛应用。随着人类对环保意识的深入及可持续发展的需要,压电陶瓷的无铅化成为全社会关注的焦点。因此,研究高性能的环境友好型压电材料及其制品是目前电子元器件行业的一项紧迫...
胡耀斌
关键词:无铅压电陶瓷介电损耗
Bi(Fe0.9Mn0.1)O3+σ对KNN基陶瓷的相结构及电性能的影响被引量:1
2012年
采用固相烧结法制备了K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-xBi(Fe0.9Mn0.1)O3+σ(KNN-LS-BF9M1)无铅压电陶瓷,研究了不同BF9M1掺杂量(x分别为0,0.002,0.004,0.006,0.008)对所制陶瓷的显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明,少量BF9M1掺杂能有效抑制KNN陶瓷晶粒的生长,促进组织致密化。当x从0增加到0.006时,样品发生正交-四方相变,同时正交-四方相变温度to-t从95℃降低到40℃;另一方面,压电性能得到明显提高、介质损耗有所降低。当x=0.006时,样品具有最好电性能:d33=260 pC/N,tanδ=2.03×10–2,kp=51.9%,εr=1 241,Qm=44.7,tC=345℃,to-t=45℃。
胡耀斌刘心宇江民红崔业让
关键词:无铅压电陶瓷K0.5NA0.5NBO3压电性能
一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法,该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体(K<Sub>0.5-x</Sub>Na<Sub>0.5+x</Sub>)NbO<Sub>3</Sub>、助溶剂LiSbO<Sub...
刘心宇胡耀斌江民红崔业让杨华斌马家峰
文献传递
一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法,该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体(K<Sub>0.5-x</Sub>Na<Sub>0.5+x</Sub>)NbO<Sub>3</Sub>、助溶剂LiSbO<Sub...
刘心宇胡耀斌江民红崔业让杨华斌马家峰
共1页<1>
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