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GaN/AlGaN基紫外探测器研究: GaN/AlGaN基紫外探测器的灵敏度高、抗干扰能力强，在军事和民用领域具有十分重要的应用价值。本文在制成p-i-n型和Schottky型GaN基正入射紫外探测器，以及AlGaN基背入射p-i-n型日盲紫外探测器的基础上...; 张爽; 关键词：紫外探测

基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器: 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接...; 张爽赵德刚刘文宝孙苋刘宗顺张书明朱建军王辉段俐宏杨辉; 文献传递

Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较: 本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...; 张爽杨辉赵德刚刘宗顺朱建军张书明段俐宏刘文宝孙苋江德生; 关键词：紫外探测器光谱响应特性; 文献传递

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响被引量：1: 2009年; 研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.; 张爽赵德刚刘宗顺朱建军张书明王玉田段俐宏刘文宝江德生杨辉; 关键词：GAN 紫外探测器反向漏电

246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制被引量：6: 2011年; 设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%。零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7 nA,峰值响应度为23 mA/W。并在此基础上制备出大面阵太阳盲紫外探测器芯片,其像元数为128×128,光敏元直径为44μm,像元间距为50μm。; 颜廷静种明赵德刚张爽陈良惠; 关键词：ALGAN 紫外探测器面阵

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析被引量：3: 2007年; 制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010cm-2.; 刘宗顺赵德刚朱建军张书明段俐宏王海史永生刘文宝张爽江德生杨辉; 关键词：肖特基势垒紫外探测器开路电压表面态

GaN基金属-半导体-金属探测器: 2007年; 采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射后能够恢复.光谱响应测量中发现带隙内368nm处有光电导性质的异常峰值响应,808nm的激光对其有明显的淬灭作用,并根据陷阱模型对这些现象做出了解释.; 刘文宝孙苋王小兰张爽刘宗顺赵德刚杨辉; 关键词：GAN 暗电流光谱响应

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张爽