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徐丽燕

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇短路
  • 3篇短路点
  • 3篇抗ESD
  • 2篇低浓度
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电力电子系统
  • 2篇离子注入
  • 2篇工艺方法
  • 2篇工艺技术
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电阻
  • 1篇虚拟制造
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片面积
  • 1篇静电损伤
  • 1篇扩展电阻
  • 1篇互连
  • 1篇互连线

机构

  • 5篇杭州电子科技...

作者

  • 5篇徐丽燕
  • 5篇张海鹏
  • 4篇徐文杰
  • 3篇高明煜
  • 3篇刘国华
  • 3篇许杰萍
  • 2篇苏步春
  • 2篇孙玲玲
  • 2篇张亮
  • 1篇齐瑞生
  • 1篇林弥
  • 1篇赵伟立
  • 1篇许生根
  • 1篇张帆

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
抗ESD的集成SOI LIGBT器件单元
本实用新型涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜刘国华徐丽燕
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集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本实用新型涉及集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极...
张海鹏张亮苏步春张帆刘国华徐丽燕
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抗ESD集成SOI LIGBT器件单元的工艺方法
本发明涉及集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件结构的SOI CMOSVLSI工艺实现方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件没有集成抗ESD结构与功能。本发明通过将常规SOI LIGBT器件的SOI CMOS V...
张海鹏徐文杰许杰萍孙玲玲高明煜徐丽燕
文献传递
抗ESD集成SOI LIGBT器件单元的工艺方法
本发明涉及集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件结构的SOI CMOS VLSI工艺实现方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件没有集成抗ESD结构与功能。本发明通过将常规SOI LIGBT器件的SOI CMOS ...
张海鹏徐文杰许杰萍孙玲玲高明煜徐丽燕
文献传递
集成SOI LIGBT/LDMOS器件结构、工艺、设计、虚拟制造与仿真测试
刘国华张亮张海鹏徐丽燕徐文杰朱志远林弥毛建军胡煜涛苏步春许生根赵伟立齐瑞生
发明专利1：针对现有技术的不足将反向续流二极管集成在SOILIGBT器件单元结构之中，使其无需外接任何器件就具有逆向导通能力，能够显著改善SOILIGBT器件速度、可靠性与使用寿命，减小采用该种器件的各种电力电子系统的体...
关键词：
关键词：电力电子系统半导体器件
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