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许杰萍

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇短路
  • 5篇短路点
  • 5篇抗ESD
  • 3篇电力
  • 3篇电力电子
  • 3篇电力电子系统
  • 3篇静电损伤
  • 3篇互连
  • 3篇互连线
  • 3篇二极管
  • 2篇低浓度
  • 2篇正交频分
  • 2篇正交频分复用
  • 2篇频分
  • 2篇频分复用
  • 2篇离子注入
  • 2篇工艺方法
  • 2篇工艺技术
  • 2篇复用
  • 1篇定时同步算法

机构

  • 7篇杭州电子科技...

作者

  • 7篇许杰萍
  • 5篇高明煜
  • 5篇张海鹏
  • 5篇徐文杰
  • 3篇徐丽燕
  • 2篇吕幼华
  • 2篇孙玲玲
  • 2篇官伯然
  • 2篇汪洁
  • 1篇刘国华

传媒

  • 1篇杭州电子科技...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜吕幼华汪洁
文献传递
抗ESD的集成SOI LIGBT器件单元
本实用新型涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜刘国华徐丽燕
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集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOILIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层、...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜吕幼华汪洁
文献传递
获得正交频分复用信号定时同步的方法
本发明涉及正交频分复用系统中使信号定时同步的方法。现有方法或者难以实现准确的符号定时，或者不能正确读取从第一个前导开始的所有信号。本发明首先将接收到的前导与在接收端设定的第一个前导符号的重复部分进行互相关运算，得到互相关...
官伯然许杰萍
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一种新型的OFDM符号定时同步算法被引量：1
2005年
IEEE 802.16d是应用于无线城域网上的无线接入标准,其物理层所采用的正交频分复用是一种可有效对抗符号间干扰的高速传输技术。但它对同步误差十分敏感,为了尽量减小这种负面影响,需要尽量减小符号定时同步误差。已有的一些符号定时同步算法运算量较大,而且在噪声电平较高时,定时会变的不准确以致造成符号间干扰。该文提出了一种基于前导符号结构的性能更加稳定的新型符号定时同步算法。仿真结果表明在信噪比较低时采用该算法能实现更准确的定时。
许杰萍官伯然
关键词：正交频分复用符号定时同步循环前缀
抗ESD集成SOI LIGBT器件单元的工艺方法
本发明涉及集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件结构的SOI CMOSVLSI工艺实现方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件没有集成抗ESD结构与功能。本发明通过将常规SOI LIGBT器件的SOI CMOS V...
张海鹏徐文杰许杰萍孙玲玲高明煜徐丽燕
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抗ESD集成SOI LIGBT器件单元的工艺方法
本发明涉及集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件结构的SOI CMOS VLSI工艺实现方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件没有集成抗ESD结构与功能。本发明通过将常规SOI LIGBT器件的SOI CMOS ...
张海鹏徐文杰许杰萍孙玲玲高明煜徐丽燕
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