黄明亮
- 作品数：106 被引量：139H指数：6
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 电迁移对Ni/Sn/Ni-P焊点界面反应的影响被引量：2
- 2012年
- 研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响。结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用。当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100h后Ni-P层消耗了5.88μm,电迁移200h后Ni-P层消耗了13.46μm。在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间。当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的NiSn化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200h后NiSn层的厚度达到1.81μm。
- 陈雷达周少明黄明亮
- 关键词：电迁移NI-PNI金属间化合物
- 一种测定微电子封装焊点压缩蠕变性能的测试装置
- 一种测定微电子封装焊点压缩蠕变性能的测试装置，属于材料的力学性能测试领域。测试装置的装置主体包括环境箱、样品台、定位机构和加载机构，样品台的上半部设置在环境箱中，加载机构的载荷杆依次穿过支撑台面、样品台、试样和上压板，并...
- 黄明亮赵宁马海涛赵杰杨耀春张飞
- 文献传递
- 一种In和Sb强化的Sn<Sub>24-x-y</Sub>Bi<Sub>18</Sub>In<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>低温无铅焊料及其制备方法
- 本发明提供一种In和Sb强化的Sn<Sub>24‑x‑</Sub><Sub>y</Sub>Bi<Sub>18</Sub>In<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>低温无铅焊料及其制备方法，属于低熔点焊料领域...
- 李壮董丹丹黄明亮董闯
- Cr5Mo/A302异质焊头时效过程中的组织结构变化被引量：3
- 1999年
- 利用光学显微镜对Ｃｒ５Ｍｏ／Ａ３０２异质焊头在高温时效过程中的组织结构变化进行了研究．结果表明珠光体钢／奥氏体钢异质焊头中γ－Ｆｅ与α－Ｆｅ在熔合区有结晶相适应的结晶条件；增碳层与时效时间呈抛物线关系；时效中熔合区附近碳化物转变基本遵循Ｍ７Ｃ３→Ｍ２３Ｃ６→Ｍ６Ｃ；增碳层中析出碳化物与奥氏体基体保持共格关系．
- 王来黄明亮亚生江王富岗王富岗
- 关键词：时效显微组织铬合金铝合金
- 一种电子封装微焊点的制备方法
- 本发明涉及一种电子封装微焊点的制备方法，包括：在第一基底上依次制备第一金属焊盘、第一可焊层和微凸点；在第二基底上依次制备第二金属焊盘和第二可焊层；将微凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，选择所需的回流曲...
- 赵宁钟毅董伟黄明亮马海涛
- 文献传递
- 一种用于铝铜软钎焊的Sn-Zn基无铅钎料合金及其制备方法
- 一种用于铝铜软钎焊的Sn-Zn基无铅钎料合金及其制备方法，属于新材料技术领域。钎料合金组分的重量百分比：Zn为7-8.5%；Al为0.2-0.49%；Ag为0.55-0.7%；P为0-0.1%；Ni为0-1%；RE为0-...
- 黄明亮康宁王清董闯赵宁周强
- 文献传递
- 低熔点In-Bi-Sn-Ag合金钎料及其制备方法、应用
- 本发明公开了一种低熔点In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料及其制备方法、应用，In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料包括以下质量百分比的组分：15％～25％的Sn、10％～30％的In、1％～12％的Ag和40％～60％的Bi；In和...
- 黄明亮任婧黄斐斐顾怡冰兰佳霓杨皓淇
- 金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法
- 本发明公开了金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间施加直流...
- 黄明亮赵宁张志杰杨帆张飞赵杰马海涛
- 文献传递
- 一种花状纳米铜的制备方法
- 一种花状纳米铜的制备方法，属于微/纳材料制备技术领域。具体步骤为：配制可溶性二价铜盐溶液与次亚磷酸钠溶液，用表面活性剂分散剂和防护剂防止纳米铜在制备过程团聚和氧化，然后在30℃‑150℃水浴条件下预热，达到预定温度后将二...
- 马海涛尚胜艳王云鹏陈军赵宁黄明亮
- 文献传递
- Cu/Sn-52In/Cu微焊点液-固电迁移行为研究被引量：3
- 2017年
- 采用同步辐射实时成像技术对比研究了Cu/Sn-52In/Cu微焊点在120和180℃,2.0×10~4A/cm^2条件下液-固电迁移过程中In、Sn和Cu原子的扩散迁移行为及其对界面反应的影响。由于没有背应力,液-固电迁移条件下Sn-52In焊点中In原子的有效电荷数Z*为负值是其定向扩散迁移至阳极的物理本质,这与Sn-52In焊点固-固电迁移条件下背应力驱使In原子迁移至阴极的机理不同。基于液态金属焓随温度的变化关系,修正了计算液态金属Z*的理论模型,计算获得In原子在120和180℃下的Z*分别为-2.30和-1.14,为电迁移方向提供了判断依据。液-固电迁移过程中In和Cu原子同时由阴极扩散至阳极并参与界面反应使得界面金属间化合物(intermetallic compounds,IMC)生长表现为"极性效应",即阳极界面IMC持续生长变厚,并且厚于阴极界面IMC,温度越高,界面IMC的"极性效应"越显著。液-固电迁移过程中阴极Cu基体的溶解与时间呈抛物线关系,温度越高,阴极Cu的溶解速率越快。
- 张志杰黄明亮
- 关键词：电迁移金属间化合物
