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宋永梁

作品数:9 被引量:89H指数:5
供职机构:浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇溶胶
  • 4篇凝胶法制备
  • 4篇光致
  • 4篇发光
  • 3篇光谱
  • 3篇光致发光
  • 3篇ZNO薄膜
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光光谱
  • 2篇溶胶-凝胶法...
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇溶胶凝胶法
  • 2篇溶胶凝胶法制...
  • 2篇禁带
  • 2篇禁带宽度
  • 2篇固相
  • 2篇固相反应
  • 2篇硅酸
  • 2篇硅酸锌
  • 2篇发光薄膜

机构

  • 9篇浙江大学
  • 1篇杭州电子工业...

作者

  • 9篇宋永梁
  • 8篇季振国
  • 6篇刘坤
  • 6篇叶志镇
  • 5篇向因
  • 3篇王超
  • 2篇赵士超
  • 1篇杨成兴
  • 1篇王泉香
  • 1篇何振杰
  • 1篇杨永德

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇TFC’03...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 7篇2004
  • 2篇2003
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
溶胶凝胶法制备ZnO和Mg/_xZn/_(1-x)O薄膜及其性能研究
氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料。传统上,ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明电极、紫外探测器等领域。近年来,ZnO作为宽禁带半导体光电材料的研究越来越受到人们的重视。Zn...
宋永梁
关键词:ZNO薄膜光致发光
文献传递
溶胶凝胶法制备禁带宽度可调的MgxZn1-xO薄膜
氧化锌具有较大的激子束缚能(~60mev),可实现室温下的紫外受激辐射,是一种很有前途的紫外光电于器件材料,极具开发和应用价值。要实现高性能的紫外发光器件,异质结的制备是关键问题之一。MgZn(1-x)O是一种禁带宽度可...
季振国宋永梁向因刘坤王超叶志镇
文献传递
硅基光致发光膜:(Zn_2SiO_4/Si):Tb/Mn的制备被引量:2
2004年
利用溶胶 凝胶涂膜技术及高温固相反应技术 ,在硅片表面生长了掺铽和锰的两种高效硅基光致发光膜。XRD和吸收光谱分析测试结果表明 ,当固相反应温度高于 85 0℃时 ,在硅片表面形成了晶态的Zn2 SiO4薄膜。荧光光谱实验结果表明这种利用高温固相反应生成的掺铽或掺锰的Zn2 SiO4薄膜的发光强度高 ,余辉为 1 0ms数量级。本方法制备的硅基发光膜热稳定性及化学稳定性好 。
赵士超季振国刘坤宋永梁杨永德
关键词:硅酸锌固相反应
溶胶-凝胶提拉法制备ZnO薄膜及其性能研究被引量:12
2004年
采用溶胶 凝胶提拉法在石英玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴择优取向生长。透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3 2 8eV ,与ZnO体材料的禁带宽度 3 30eV基本相同。用荧光光谱分析了经过 4 0 0~ 6 0 0℃热处理获得的ZnO薄膜 ,结果表明ZnO薄膜在室温下可获得较强的紫外带边发射。适当选择热处理温度可以获得无可见波段发射的ZnO薄膜。
宋永梁季振国王泉香向因叶志镇
关键词:ZNO薄膜荧光光谱透射光谱半导体材料
溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征被引量:34
2004年
采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光谱分析了经过 5 0 0~ 70 0℃热处理获得的 Zn O薄膜 ,结果表明 Zn O薄膜在室温下有较强的紫外带边发射 ,但当热处理温度高于 70 0℃时 。
季振国宋永梁杨成兴刘坤王超叶志镇
关键词:光致发光溶胶-凝胶法旋涂
p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征被引量:20
2004年
采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 。
季振国何振杰宋永梁
关键词:SNO2薄膜吸收谱提拉法禁带宽度热处理温度
M:Zn2SiO4/Si发光薄膜的制备与表征
半导体硅材料是现代电子工业最重要的材料,它具有性能优越、工艺成熟、原料丰富、价格便宜等多方面的优点。但是,硅材料是否可以继续拓宽性能进入光电子及光子器件领域,是否继续在以光为传输媒体的21世纪继续发挥作用目前还不能下肯定...
季振国赵士超刘坤宋永梁向因叶志镇
文献传递
热处理参数对溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜特性的影响被引量:18
2004年
采用溶胶 凝胶旋涂法在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜 ,并用荧光光谱、原子力显微镜和XRD对ZnO薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,溶胶 凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜为纤锌矿结构 ,其c轴取向程度与热处理温度有很大的关系 .当热处理温度小于 5 5 0℃时 ,氧化锌薄膜在室温下均有较强的紫外带边发射峰 ,而可见波段的发射很弱 ;当热处理温度高于 5 5 0℃时 ,可见波段发射明显增强 .对经过不同时间热处理的ZnO薄膜样品分析表明 ,氧化锌薄膜的荧光特性及表面形貌与热处理时间也有很大关系 ,时间过短可见波段的发射较强 ,但时间过长会导致晶粒发生团聚 。
宋永梁季振国刘坤王超向因叶志镇
关键词:氧化锌薄膜荧光光谱原子力显微镜纤锌矿结构
利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征被引量:5
2004年
采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜 .XRD测试和UV - Vis吸收谱测试证明在高于 880℃的温度下热处理 ,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜 .光致发光光谱分析表明 ,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射 ,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射 .由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定 ,可以与硅集成电路工艺兼容 ,而且发光强度高 。
季振国刘坤向因宋永梁叶志镇
关键词:硅酸锌光致发光谱固相反应PACC
共1页<1>
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