王超
- 作品数：7 被引量：63H指数：4
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金浙江省分析测试基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- ITO/Al_2O_3复合透明导电膜的制备及光电性能被引量：4
- 2003年
- 采用磁控溅射技术 ,在预先沉积有金属Al膜的玻璃衬底上制备了ITO薄膜。通过高温热处理 ,获得了透射率高、导电性能好的ITO/Al2 O3 复合透明导电膜。研究了不同Al薄膜厚度下ITO薄膜的晶体结构及其光、电性能 ,结果表明 ,当预沉积Al层厚度为 4 0nm左右时 ,ITO的结晶质量得到提高 ,取向性能变好 ,电阻降低 ,而且在 4 0 0 - 80 0nm范围内具有很高的可见光透过率。实验表明 ,通过改变预沉积Al膜的厚度 ,可以改变ITO薄膜最大透过率对应的波长 。
- 季振国王超刘坤
- 关键词：ITOAL2O3复合膜磁控溅射
- 溶胶凝胶法制备禁带宽度可调的MgxZn1-xO薄膜
- 氧化锌具有较大的激子束缚能(～60mev),可实现室温下的紫外受激辐射,是一种很有前途的紫外光电于器件材料,极具开发和应用价值。要实现高性能的紫外发光器件,异质结的制备是关键问题之一。MgZn(1-x)O是一种禁带宽度可...
- 季振国宋永梁向因刘坤王超叶志镇
- 文献传递
- 掺Mn硅酸锌薄膜中微量氧化锌对发光强度的影响被引量：2
- 2006年
- 利用溶胶-凝胶法结合高温热处理在硅衬底上制备了掺Mn硅酸锌薄膜,用XRD、SEM、UV-Vis吸收谱和PL谱测试了样品的结晶性能与光学性能,并分析了热处理温度对掺Mn硅酸锌薄膜的结晶性能和光学性能的影响．实验结果发现,ZnO的适量存在对掺Mn薄膜的发光有增强作用．进一步的分析认为,这一现象的机理可由G．G．Qin提出的量子约束-发光中心(QCLC)模型进行解释,ZnO中受激发的电子和空穴通过隧穿效应到达硅酸锌基体中复合发光,从而增强发光强度．
- 席俊华季振国刘坤王超杜鹃
- 关键词：硅酸锌氧化锌光致发光
- 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征被引量：34
- 2004年
- 采用溶胶 -凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了 Zn O薄膜 .对薄膜的 XRD分析表明 Zn O薄膜为纤锌矿结构并沿 c轴取向生长 .透射光谱表明薄膜的禁带宽度为 3.2 8e V ,与 Zn O体材料的禁带宽度 3.30 e V基本相同 .用光致发光谱分析了经过 5 0 0～ 70 0℃热处理获得的 Zn O薄膜 ,结果表明 Zn O薄膜在室温下有较强的紫外带边发射 ,但当热处理温度高于 70 0℃时 。
- 季振国宋永梁杨成兴刘坤王超叶志镇
- 关键词：光致发光溶胶-凝胶法旋涂
- 热处理参数对溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜特性的影响被引量：18
- 2004年
- 采用溶胶 凝胶旋涂法在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜 ,并用荧光光谱、原子力显微镜和XRD对ZnO薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,溶胶 凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜为纤锌矿结构 ,其c轴取向程度与热处理温度有很大的关系 .当热处理温度小于 5 5 0℃时 ,氧化锌薄膜在室温下均有较强的紫外带边发射峰 ,而可见波段的发射很弱 ;当热处理温度高于 5 5 0℃时 ,可见波段发射明显增强 .对经过不同时间热处理的ZnO薄膜样品分析表明 ,氧化锌薄膜的荧光特性及表面形貌与热处理时间也有很大关系 ,时间过短可见波段的发射较强 ,但时间过长会导致晶粒发生团聚 。
- 宋永梁季振国刘坤王超向因叶志镇
- 关键词：氧化锌薄膜荧光光谱原子力显微镜纤锌矿结构
- p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征被引量：4
- 2005年
- 本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜。X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构。吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8eV。霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关。热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度。当热氧化温度处于(600～700)℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018cm-3。
- 季振国陈琛王超周强赵丽娜
- 关键词：透明导电氧化物薄膜P型镓吸收谱子类型
- Cu/Al比对p型透明导电铜铝氧薄膜性能的影响被引量：2
- 2005年
- 采用将反应物沉淀后涂层及高温固相反应，在石英玻璃衬底上沉积了Cu／Al原子比不同的P型透明导电铜铝氧化物。XRD分析结果表明，样品的成分中包含黑铜矿结构的CuO、铜铁矿结构的CuAlO2、尖晶石结构的CuAl2O4和刚玉结构的Al2O3；X光能谱（EDAX）测试结果表明，样品中的Cu／Al比例随原料中Cu／Al比的增加而增加；导电类型测试表明，利用本方法制备的样品均是P型；电阻率测试表明，当Cu／Al原子比在1．0～1．5变化时试样的电阻率较低，而且电阻率变化不大。
- 周强季振国赵丽娜陈琛王超
- 关键词：透明导电膜沉淀法
