张世权
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 台阶处光刻工艺的优化与研究
- 2013年
- 光刻胶剖面形貌和关键尺寸(CD)是光刻工艺的关键参数,而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响,尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶Swing Curve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响,分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌;二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。
- 贺琪张世权刘国柱
- RTP工艺监控研究
- 详细介绍了两种监控RTP设备的方法，分别研究了两种方法的基本原理，通过对两种方法所得结果的详细比较与分析，得出离子注入退火的方法有较好的重复性，在低温段(760～850度)退火后方块电阻和温度有良好的线性关系(R=-0....
- 张世权陈海峰聂圆燕
- 文献传递
- 不同衬底材料对光刻胶剖面的影响被引量：1
- 2013年
- 文章研究了在127 mm硅片上分别生长金属铝和二氧化硅氮化硅叠两种IC常用材料作为衬底对光刻胶形貌的影响,其造成光刻胶形貌差的原因是金属底部反射率高导致光刻胶侧面曝光和入射光通过二氧化硅氮化硅叠层厚度的光程差正好为光源波长的整数倍,从而导致光刻胶底部干涉光同相位。通过增加底部抗反射层和调整最佳膜层厚度解决了在这两种衬底材料下光刻胶形貌差的问题。
- 张世权朱斌顾霞
- 关键词：薄膜厚度
- RRC工艺涂胶胶厚均匀性优化研究被引量：2
- 2014年
- 为降低涂胶工序的生产成本,减少光刻胶的用量,需要在涂胶工艺上不断改进和提高。从原来传统的涂胶工艺到RRC(Reduced Resist Consumption)工艺,能够使光刻胶的用量减少,而随着光刻胶用量的减少,圆片上胶厚的均匀性也在发生剧烈的变化。同时光刻涂胶工序最重要的工艺要求就是胶厚和均匀性,它直接影响着后续曝光工艺的稳定性。在RRC工艺下,通过对喷胶转速、排风、喷胶速率等涂胶参数进行多次试验,最终找出影响胶厚均匀性的参数及其调整方法,来达到工艺要求的胶厚及均匀性,保障工艺生产的稳定性。
- 江月艳张世权
- 关键词：光刻涂胶均匀性RRC
- 多晶电阻工艺监控与影响因素研究
- 2015年
- 首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。
- 张世权马慧红吴晓鸫
- 关键词：晶粒淀积速率
- PECVD法氮化硅薄膜制备工艺的研究被引量：5
- 2013年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率等参数进行了表征。研究了硅烷氨气流量比、极板间距等工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响,发现当硅烷氨气流量比增加时,薄膜厚度和折射率均随之增加,并发现退火工艺可以有效降低氮化硅薄膜的氢氟酸腐蚀速率。
- 汪文君孙建洁朱赛宁张世权
- 关键词：氮化硅薄膜退火
