顾霞
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同衬底材料对光刻胶剖面的影响被引量：1
- 2013年
- 文章研究了在127 mm硅片上分别生长金属铝和二氧化硅氮化硅叠两种IC常用材料作为衬底对光刻胶形貌的影响,其造成光刻胶形貌差的原因是金属底部反射率高导致光刻胶侧面曝光和入射光通过二氧化硅氮化硅叠层厚度的光程差正好为光源波长的整数倍,从而导致光刻胶底部干涉光同相位。通过增加底部抗反射层和调整最佳膜层厚度解决了在这两种衬底材料下光刻胶形貌差的问题。
- 张世权朱斌顾霞
- 关键词：薄膜厚度
- “场发花”现象研究
- 2007年
- 随着半导体技术的不断发展,特征尺寸也不断缩小,光刻对条宽的控制能力在整个半导体技术中显得十分重要,而场发花现象对光刻来说是个较为严重的质量问题,它严重影响了光刻对条宽的控制能力,同时还造成硅片的大量返工,使生产成本增加、产量降低,也使生产的圆片质量可靠性受到置疑。文章对造成场发花现象的原因,场发花造成的影响以及如何避免场发花现象做了一定的解释。
- 寇春梅顾霞
- 关键词：化学机械抛光
