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文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 2篇CMOS工艺
  • 2篇MOSFET
  • 1篇性能研究
  • 1篇商用
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇平坦化
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇模型建立
  • 1篇均匀性
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇厚度
  • 1篇发花
  • 1篇N型
  • 1篇PCS
  • 1篇PLASMA
  • 1篇SPICE
  • 1篇CMOS
  • 1篇DOE

机构

  • 6篇中国电子科技...
  • 1篇中国航天科技...

作者

  • 6篇寇春梅
  • 1篇谢儒彬
  • 1篇徐海铭
  • 1篇洪根深
  • 1篇朱宏
  • 1篇黄蕴
  • 1篇李洪霞
  • 1篇秦征峰
  • 1篇顾霞

传媒

  • 5篇电子与封装
  • 1篇中国航天

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
商用0.18μm CMOS工艺抗总剂量辐射性能研究
2016年
对国内标准商用0.18μm工艺MOSFET和电路进行总剂量效应研究。其STI隔离区域二氧化硅在总剂量达到50k rad(Si)时,端口3.3 V NMOS晶体管漏电达到了10-9A级,达到100k rad(Si)以上时,内核1.8 V NMOS晶体管出现场区漏电。通过电路总剂量辐照试验,表明NMOS晶体管是薄弱点。需要开发STI场区总剂量加固技术,以满足抗辐射电路研制要求。
寇春梅谢儒彬洪根深吴建伟
关键词:总剂量MOSFET
0.5μm CMOS后段平坦化工艺优化被引量:1
2012年
通过实验对采用SOG材料的0.5μm CMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计,表明IMD1-1厚度、SOG(旋涂玻璃)厚度和etchback(反腐蚀)厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子,在完全平坦化的情况下β=1;如果没有平坦化效果,则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距,它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE(实验设计)的方法优化了0.5μm CMOS的平坦化工艺,平坦化因子从70%提高到85%,平坦化均匀性同时得到改善。
寇春梅李洪霞
关键词:DOE均匀性
浅谈宇航元器件质量工程师的工作制度
2020年
宇航元器件质量工程师作为宇航元器件PCS体系的三大核心要素之一,是宇航元器件用户的质量管理要求在元器件生产单位的有效传递者,本文主要研究了宇航元器件质量工程师的工作制度,包含工作项目、工作内容、工作依据、工作输出、工作方式、责任人等内容,通过规范工作制度,确保宇航元器件的生产和交付质量,以此将宇航产品的质量水平推向新的高度。
寇春梅高铮王燕婷常明超梁丰爽
后端工艺的N型欧姆接触
2012年
文章首先从原理上较为全面地阐述了欧姆接触形成的必要条件和广泛应用,其次主要针对工艺生产过程中产生的多种n+欧姆接触不良情况进行了汇总分析并提供了相应解决方案。提出了等离子损伤对欧姆接触电阻有较大影响并对此进行实验对比验证。伴随着现代工艺的不断发展进步,欧姆接触电阻将会在电路设计应用中越来越受到重视并发挥重大作用。
徐海铭秦征峰寇春梅黄蕴
关键词:欧姆接触PLASMA
3.0μm工艺模型建立方法研究
2013年
器件模型作为Foundry跟设计公司接口的最基本桥梁,需要熟悉器件、工艺、物理、EDA等多方面的专业要求[1],设计公司依据一个高精度的器件模型,针对确定的器件和工艺进行设计,可以保证设计电路产品的成品率和可靠性,提高工艺容宽,降低成本。随着加工工艺的不断进步,工艺建模更是必不可少。现在模型参数提取已经进入了45 nm时代,工艺模型则需要专业的建模公司来完成,因为这不仅需要专业的模型提取软件,亦需要昂贵的品类繁多的测试设备,当然更需要专业的建模技术人员。建立完整可靠和统一高效的SPICE模型是将先进的工艺制程迅速推向客户的关键。
陈培仓寇春梅朱宏
关键词:MOSFETSPICE
“场发花”现象研究
2007年
随着半导体技术的不断发展,特征尺寸也不断缩小,光刻对条宽的控制能力在整个半导体技术中显得十分重要,而场发花现象对光刻来说是个较为严重的质量问题,它严重影响了光刻对条宽的控制能力,同时还造成硅片的大量返工,使生产成本增加、产量降低,也使生产的圆片质量可靠性受到置疑。文章对造成场发花现象的原因,场发花造成的影响以及如何避免场发花现象做了一定的解释。
寇春梅顾霞
关键词:化学机械抛光
共1页<1>
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