曹明杰
- 作品数：21 被引量：17H指数：2
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- 硒化时间对铜锌锡硫硒薄膜硒含量的影响
- 阐述直接溅射铜锌锡硫靶后硒化法能够制备得到了铜锌锡硫硒薄膜。随着硒化时间的增加，铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值增加，其结构从铜锌锡硫向铜锌锡硫硒转变，最后为纯的铜锌锡硒结构。此外，铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值能...
- 孙汝军庄大明赵明欧阳良琦郭力曹明杰李晓龙谢敏
- 关键词：硒含量
- 磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳能电池的工艺及性能研究
- 采用磁控溅射方法直接溅射铜铟镓硒(CIGS)靶材，制备得到了用于太阳能电池吸收层的CIGS薄膜，然后在Se气氛中对该CIGS薄膜进行退火处理。采用扫描电镜、X射线衍射、Raman、XPF、Hall等方法观察和分析了退火的...
- 栾和新庄大明曹明杰刘江
- 关键词：薄膜太阳能电池磁控溅射法铜铟镓硒
- 文献传递
- 串联电阻对不均匀铜铟镓硒电池性能的影响被引量：1
- 2015年
- 由于铜铟镓硒太阳电池的不均匀性以及电池输出特性的非线性,现有表征大面积电池的加权平均效率需要进行修正以便更好反映光伏组件的效率。由于串联电阻的增加常被认为可改善电池均匀性,因此本文针对串联电阻的影响进行重点研究。本文基于太阳电池模型,假定大面积太阳电池可看作是多个小面积太阳电池单元并联而成的太阳电池单元组件。计算结果表明,并联光伏组件的效率比加权平均效率低;提高光伏组件的串联电阻能在一定程度上改善电池不均匀性,但未必能提高光电转换效率,这有赖于光伏组件的不均匀程度和其本身的串联电阻大小;当光伏组件本身的均匀性较好且串联电阻也较小时,提高光伏组件的串联电阻能提高光伏组件效率。
- 欧阳良琦庄大明郭力曹明杰刘江李晓龙谢敏宋军
- 关键词：铜铟镓硒太阳电池不均匀性串联电阻
- 铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
- 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池，包括基底、设置在该基底上的背电极层、设置在该背电极层上的光吸收层、设置在该光吸收层上的缓冲层及设置在该缓冲层上的窗口层，其特征在于，该光吸收层包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元...
- 赵明庄大明李晓龙曹明杰欧阳良琦詹世璐魏要伟
- 文献传递
- 溅射富Se CIGS靶材加无Se气氛退火制备CIGS电池
- 通过溅射富Se CIGS靶材制备获得富Se成分的沉积态CIGS薄膜，并对沉积态薄膜在无Se源保护性气氛下进行晶化退火，获得具有富Se成分、单一黄铜矿相组成且电子学性能良好的CIGS吸收层和相应CIGS电池。采用该工艺方法...
- 李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋
- 关键词：薄膜太阳能电池
- 磁控溅射法制备CIGSe薄膜太阳能电池的工艺及性能研究
- 采用中频交流磁控溅射方法直接溅射CIGSe靶材,制备得到了用于太阳能电池吸收层的CIGSe薄膜。采用SEM、XRD、XRF等方法观察和分析了薄膜表面形貌、组织结构和成分。溅射之后的CIGSe薄膜无法满足CIGSe太阳能电...
- 栾和新庄大明曹明杰
- 文献传递
- 磁控溅射制备Nb掺杂IZO薄膜光电学性能研究
- 2016年
- 通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO)。运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能。光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO(IGZO)具有更低的深能级缺陷密度。Hall效应测试结果表明,通过调节溅射过程中氧气流量可有效控制INZO薄膜载流子浓度,使之适合于制备薄膜晶体管(TFT)器件。INZO薄膜迁移率随载流子浓度的变化规律符合渗流传导模型,载流子浓度较低时,迁移率随载流子浓度增加而增加;载流子浓度较高时,迁移率下降,光学数据的分析表明其带尾态宽度较大,结构更无序。提高溅射基底温度可有效提高迁移率,但对薄膜无序度的改善并不明显。
- 曹明杰赵明庄大明郭力欧阳良琦孙汝军詹世璐
- 关键词：无机非金属材料光致发光迁移率磁控溅射
- 磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究
- 2015年
- 采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明,制备出的IGZO薄膜均为非晶结构,成分与靶材基本一致,电学性能对溅射电流不敏感,而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率。随着氧气流量的增加,薄膜的载流子浓度先增加后减小,而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加。透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90%以上。
- 曹明杰赵明庄大明郭力欧阳良琦李晓龙宋军
- 关键词：无机非金属材料非晶态半导体磁控溅射迁移率
- 溅射靶及其制备方法
- 本发明涉及一种溅射靶，由Cu<Sub>y</Sub>(In<Sub>1-x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>)Se<Sub>2</Sub>粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cu<Sub>y</Sub>...
- 庄大明赵明李晓龙曹明杰孙汝军张冷高泽栋
- Na元素掺杂对直接磁控溅射法制备的CIGSe薄膜的影响
- 本文重点研究Na元素掺杂对直接磁控溅射法制备的CIGSe薄膜性能的影响。采用电子束蒸发的方法在钠钙玻璃基底上制备NaF预制层,然后在NaF预制层之上采用直接磁控溅射CIGSe靶材的方法沉积CIGSe薄膜,并在Se气氛下进...
- 栾和新庄大明曹明杰
- 文献传递
