公共文化服务平台

溅射靶及其制备方法: 本发明涉及一种溅射靶，由Cuy(In1-xGax)Se2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cuy...; 庄大明赵明李晓龙曹明杰孙汝军张冷高泽栋

薄膜太阳能电池光吸收层及其制备方法: 本发明涉及一光吸收层，包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，为Cuy(In1-xGax)Se2中原位掺...; 庄大明赵明李晓龙郭力孙汝军詹世璐张冷

一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法和应用: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述...; 庄大明赵明吴逸轩孙汝军魏要伟任国铵张冷吕循岩彭孝王晨胡岚; 文献传递

CIGS靶材分层缺陷产生机理研究: 本文通过对CIGS靶材烧结分层缺陷的研究建立了CIGS分层产生的机理模型：在热压烧结制备CIGS靶材的过程中，在外加烧结压力的作用下，CuSe和CU3Se2等低熔点相在CIGS晶粒间发生沿晶界流动性扩散，导致CIGS晶界...; 李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋

磁控溅射制备Nb掺杂IZO薄膜光电学性能研究: 2016年; 通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO)。运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能。光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO(IGZO)具有更低的深能级缺陷密度。Hall效应测试结果表明,通过调节溅射过程中氧气流量可有效控制INZO薄膜载流子浓度,使之适合于制备薄膜晶体管(TFT)器件。INZO薄膜迁移率随载流子浓度的变化规律符合渗流传导模型,载流子浓度较低时,迁移率随载流子浓度增加而增加;载流子浓度较高时,迁移率下降,光学数据的分析表明其带尾态宽度较大,结构更无序。提高溅射基底温度可有效提高迁移率,但对薄膜无序度的改善并不明显。; 曹明杰赵明庄大明郭力欧阳良琦孙汝军詹世璐; 关键词：无机非金属材料光致发光迁移率磁控溅射

硒化时间对铜锌锡硫硒薄膜硒含量的影响: 阐述直接溅射铜锌锡硫靶后硒化法能够制备得到了铜锌锡硫硒薄膜。随着硒化时间的增加，铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值增加，其结构从铜锌锡硫向铜锌锡硫硒转变，最后为纯的铜锌锡硒结构。此外，铜锌锡硫硒薄膜的S/(S+Se)值能...; 孙汝军庄大明赵明欧阳良琦郭力曹明杰李晓龙谢敏; 关键词：硒含量

富Se CIGS靶材制备和性能研究: 采用热压烧结CIGS、Se混合粉末的方法制备得到高密实率的富Se CIGS靶材，发现Se元素的加入具有液相辅助烧结作用，大大提高靶材密实率，制备得到靶材最高密实率达到98.31％，且制备得到的CIGS靶材具有理想的单一黄...; 李晓龙赵明庄大明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋; 关键词：硒元素

Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合球磨过程中的Cu(In,Ga)Se_2形成机制研究被引量：1: 2016年; 对球磨时间不同的Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3混合粉末进行热压烧结制备CIGS靶材,发现在球磨时间较短时靶材出现分层,随着球磨时间延长分层缺陷消失。由此考察了粉末在球磨过程中发生的物理化学变化及其对分层的影响。结果表明:Cu2Se、In2Se3和Ga2Se3三种硒化物粉末在球磨过程中发生机械合金化反应形成黄铜矿相Cu(In,Ga)Se2(CIGS)。随着球磨时间的延长,黄铜矿相结构Cu In Se2(CIS)首先在Cu-Se二元化合物表面产生,并随着Ga原子的扩散逐步形成CIGS四元相。当球磨时间达到48 h时,粉末由黄铜矿相CIGS和少量Ga2Se3组成。由于Cu2-xSe与CIGS晶体结构相近,因此通过外延反应的方式有效促进了CIGS的合成。球磨过程中Cu-Se二元相的消失和CIGS相的形成有助于抑制烧结过程中分层缺陷的产生。; 李晓龙赵明庄大明巩前明曹明杰欧阳良琦郭力孙汝军高泽栋; 关键词：无机非金属材料铜铟镓硒机械合金化热压烧结靶材

溅射靶及其制备方法: 本发明涉及一种溅射靶，由Cuy(In1‑xGax)Se2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cuy...; 庄大明赵明李晓龙曹明杰孙汝军张冷高泽栋; 文献传递

一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法和应用: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述...; 庄大明赵明吴逸轩孙汝军魏要伟任国铵张冷吕循岩彭孝王晨胡岚

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

孙汝军