李政
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：空军航空大学更多>>
- 相关领域：理学文学电子电信化学工程更多>>
- 采用MOCVD方法的GaN薄膜制备试验研究被引量：1
- 2013年
- 介绍了使用本实验室自制的MOCVD设备,以蓝宝石材料作为衬底,按照MOCVD方法设计的GaN薄膜制备试验。衬底入炉后先在1150"C的H2气氛下烘烤20min,然后降温至540"C、550"C、560"C、570"C和580"C生长20nm厚的GaN缓冲层,再升温至1100"C生长GaN外延,外延的厚度约为3μm。缓冲层生长温度为570"C时,样品外延的生长质量最好。
- 孙媛媛李政钟咏兵赵立国
- 关键词：MOCVDGAN薄膜
- 激光诱导荧光法检测低气压NO分子
- 2014年
- 以Nd:YAG固体激光器泵浦LPX 200染料激光器(dye laser),用激光诱导荧光的方法(LIF)探测低气压NO等离子体中NO分子在基态到共振激发态(A^2∑+-X^2Π)的荧光激发光谱;运用较大体积的、较高真空的分子束自由基成像系统IRIS,利用探测器件ICCD相机进行拍照得到荧光图片和光谱分辨的图像。在激光输出波长为226.2 nm时对受NO射频放电等离子体的功率和气压变化影响以及混合气体N_2/O_2/C_2H_4配比NO影响的荧光强度进行定量测量。
- 李政彭博刘旺盛孙媛媛孙宝东
- 关键词：激光诱导荧光
- 2 μm工作波长下氮化硅槽波导特性研究
- 2023年
- 2 μm波段在光通信、光传感等领域拥有巨大前景,应用的蓬勃发展带来了与日俱增的器件需求,其中低损耗的氮化硅波导备受关注。本文利用有限元模场求解法,系统地研究了2 μm工作波长下氮化硅槽波导的模式截止条件、模式分布特性、色散特性和偏振特性。研究结果表明,氮化硅槽波导的氮化硅条宽度、槽宽度和波导高度均影响其模式截止条件、模式分布特性、色散特性和偏振特性。通过结构优化设计,氮化硅槽波导的最高槽中功率限制因子可达16.5%,氮化硅波导的色散特性可用于2 μm波段的色散补偿,氮化硅波导的偏振特性可用于2 μm波段的偏振分束等。本文的工作可为2 μm波段的波导器件提供一个有力候选,为氮化硅槽波导在2 μm波段的应用提供理论基础。
- 孙媛媛李政钟咏兵陈丹强
- 关键词：氮化硅
- 2 μm工作波长下高非线性氮化硅槽波导研究
- 2023年
- 2 μm波段在光通信、光传感等领域拥有巨大前景,应用的蓬勃发展带来了与日俱增的器件需求,其中低损耗的氮化硅波导备受关注,但是其非线性效应较弱,限制了它在非线性领域的发展。本文利用非线性效应的全矢量模型和槽波导的有限元模场求解法,系统地研究了2 μm工作波长下氮化硅槽波导结构对其非线性效应和功率限制特性的影响。研究结果表明,氮化硅槽波导的氮化硅条宽度、槽宽度和波导高度均影响其非线性效应和功率限制特性。通过结构参数优化,可同时实现高非线性系数和高功率限制,分别为4.36/W/m和16.4%。本文的工作可为2 μm波段的波导器件提供一个有力候选,为氮化硅槽波导在2 μm波段的非线性应用提供了理论基础。
- 孙媛媛李政孙宝东肖树臣
- 关键词：氮化硅非线性
