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赵立国

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：空军航空大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇GAN
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD方...

机构

  • 1篇空军航空大学

作者

  • 1篇钟咏兵
  • 1篇李政
  • 1篇孙媛媛
  • 1篇赵立国

传媒

  • 1篇工程与试验

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
采用MOCVD方法的GaN薄膜制备试验研究被引量：1
2013年
介绍了使用本实验室自制的MOCVD设备,以蓝宝石材料作为衬底,按照MOCVD方法设计的GaN薄膜制备试验。衬底入炉后先在1150"C的H2气氛下烘烤20min,然后降温至540"C、550"C、560"C、570"C和580"C生长20nm厚的GaN缓冲层,再升温至1100"C生长GaN外延,外延的厚度约为3μm。缓冲层生长温度为570"C时,样品外延的生长质量最好。
孙媛媛李政钟咏兵赵立国
关键词：MOCVDGAN薄膜
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共1页<1>
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