关颖
- 作品数：20 被引量：48H指数：3
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术医药卫生理学更多>>
- 热释光剂量计能量响应特性研究被引量：3
- 2005年
- 使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1～1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子变化小于10%。
- 常冬梅彭宏论林东生龚建成韩福斌杨善潮关颖
- 关键词：热释光剂量计Γ射线蒙特卡罗方法
- MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质被引量：3
- 2003年
- 通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N沟晶体管反型 )时 ,受主型界面态为负电荷 ,施主型界面态陷阱为中性 ,使界面态陷阱将引起的阈值电压漂移 ;而对 PMOSFET,当费米能级临近价带 (P沟晶体管反型 )时 ,施主型界面态陷阱带正电荷 ,受主型界面态陷阱为中性 ,界面态陷阱将引起负的阈值电压漂移。理论模拟的转移特性与测试结果吻合。文中从器件工艺参数出发 ,初步建立了总剂量电离辐照模型 。
- 郭红霞张义门陈雨生周辉龚仁喜何宝平关颖韩福斌龚建成
- 关键词：MOS器件费米能级辐照阈值电压漂移
- 同轴型场畸变气体火花开关的研制被引量：10
- 2004年
- 介绍了为DPF-300型脉冲电流源同步放电系统研制的同轴型场畸变火花开关。通过电场数值计算,对场畸变火花开关的设计进行了验证,对开关的自击穿特性及触发特性进行了实验研究。试验表明,所设计的同轴型三电极场畸变气体火花开关与原DPF-200型所用开关相比,具有电感小、触发特性好等优点。
- 梁天学丛培天关颖蒯斌林东生张众
- 不同上升时间快前沿电磁脉冲引起PN结失效、烧毁的二维数值模拟被引量：9
- 2002年
- 利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模拟无法得到的电流通道等其他二维效应,详细地给出了器件正常工作、失效直至烧毁的全过程。
- 郭红霞周辉陈雨生张义门龚仁喜关颖韩福斌龚建成
- 关键词：电磁脉冲漂移扩散模型PN结电子元器件
- DPF-300脉冲X射线源同步触发系统
- DPF-300脉冲X射线源是Mather型浓密度等离子体装置(Denseplasmafocus-DPF).该装置由40台MF50-6电容器、40个同轴型场畸变开关及放电室组成.40个开关的同步触发是装置运行的关键.本文介...
- 关颖梁天学蒯斌林东生丛培天韩福斌杨善潮
- 关键词：脉冲电流源等离子体触发脉冲
- 文献传递
- CMOS器件的脉冲γ总剂量效应初探
- 2004年
- 利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以及辐照栅偏压对初始阈值电压漂移的影响,并比较了在给定实验条件下NMOSFET和PMOSFET脉冲总剂量效应与60Coγ稳态总剂量效应之间的损伤差异,运用复合模型、氧化物陷阱电荷的隧道退火以及界面态建立的两阶段模型对实验结果进行了分析。
- 罗尹虹龚建成关颖石小峰郭红霞
- 关键词：CMOS器件总剂量效应NMOSFETPMOSFET陷阱电荷^60CO
- 微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟被引量：2
- 2002年
- 用增强光电流模型对微电路 pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上 ,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底 (准中性区 )电场的效应 ,这些效应对于高阻材料是不容忽视的。该模型对正确预估微电路
- 郭红霞张义门陈雨生周辉陈世斌龚仁喜关颖韩福斌龚建成
- 关键词：数值模拟
- 等离子体渗氮与氮化钛膜沉积一体化工艺对膜基结合力的影响被引量：2
- 2002年
- 在一种增强型多弧镀膜装置上 ,实现了低温等离子体渗氮同氮化钛硬质膜沉积联合处理工艺。通过扫描电镜对膜层结构的分析 ,氮化钛硬质膜与基体之间具有相适应的力学性能 ,并在膜基界面处形成氮化物的混合层。通过对膜基结合力的定量测试 。
- 肖志刚林东生张宏关颖叶锡生
- 关键词：等离子体发生器硬质膜等离子体渗氮
- 几种集成电路和专用电路辐照效应
- 介绍了DPF-200脉冲X射线源产生的强脉冲软X射线对几种集成电路和专用电路进 行的辐照效应实验。
- 关颖韩福斌林东生肖志刚叶锡生
- 关键词：集成电路光电效应剂量率
- 稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究被引量：9
- 2001年
- 重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属 氧化物 半导体 (CMOS)器件剂量增强效应relativedoseenhance menteffect(RDEF)研究 .通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系 ,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系 .在脉冲X射线源denseplasmafocus(DPF)装置上 ,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究 ,获得了瞬态翻转剂量增强因子 .
- 郭红霞陈雨生张义门周辉龚建成韩福斌关颖吴国荣
- 关键词：X射线总剂量效应金属-氧化物-半导体器件辐照
