龚建成
- 作品数：61 被引量：126H指数：7
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- 相关领域：电子电信核科学技术理学天文地球更多>>
- X射线对Kovar封装材料的剂量增强效应的Monte-Carlo计算被引量：5
- 2001年
- 用 Monte- Carlo光子 -电子耦合输运程序计算了真实半导体封装 Kovar结构对不同能量 X射线在硅中的剂量增强因子 ,并与内层不涂金的 Kovar结构进行比较 ,计算了界面处两种结构进入硅的净电子数 ,结果证实了界面处产生的剂量增强主要来自界面处高 Z材料二次电子的贡献 。
- 郭红霞张义门陈雨生周辉龚建成吴国荣林东升韩福斌
- 关键词：MONTE-CARLO方法半导体封装材料集成电路X射线
- 中子注量空间分布规律的理论模拟被引量：1
- 2004年
- 分别以高斯聚变中子谱和麦克斯韦裂变中子谱为源谱,采用Monte-Carlo方法,对中子从不同的源高度到达不同轨道高度及不同角度处的中子注量进行数值计算,通过对计算结果进行曲线拟合,获得中子注量的空间分布规律。同时引入方向散射因子的概念,并通过对方向散射因子变化规律的研究来获得中子的大气散射规律。
- 黄绍艳唐本奇龚建成肖志刚王祖军张勇
- 关键词：中子注量聚变中子裂变MONTE-CARLO方法高斯麦克斯韦
- 典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证被引量：4
- 2005年
- 应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(ComplementaryMetal?Oxide?SemiconductorTransistor,CMOS)器件进行试验验证,论述了试验原理,对试验现象进行了详细的分析,了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可行性和保守性。实验表明,两种不同工艺的CC4069器件没有通过1019.5所做出的试验验证,从实验现象观察认为是由于界面陷阱电荷大量建立所引起的。加固LC4007?RHANMOS却通过了与1019.5相比过分保守的1019.4的试验验证。
- 罗尹虹龚建成郭红霞何宝平张凤祁
- 一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法
- 本发明属于辐射效应数值模拟技术领域，涉及一种双极型晶体管位移效应数值模拟方法。该方法从中子辐照后双极型晶体管位移损伤缺陷的实测数据出发，建立位移损伤缺陷模型，完成中子位移效应的数值模拟。本发明突破了现有少数载流子寿命法不...
- 陈伟王晨辉郭晓强杨善潮刘岩李俊霖龚建成
- 文献传递
- 中子场空间分布特性研究被引量：2
- 2005年
- 采用Monte-Carlo方法,以高斯聚变中子谱和麦克斯韦裂变中子谱为源谱,进行了中子在大气中输运的理论模拟,给出了不同源高度,空间不同位置处的中子注量、能谱和吸收剂量,并总结了中子场的空间分布特性。
- 黄绍艳唐本奇龚建成肖志刚王祖军张勇
- 关键词：MONTE-CARLO方法麦克斯韦中子注量中子谱输运
- γ射线大气传输特性的蒙特卡罗方法模拟被引量：3
- 2005年
- 利用蒙特卡罗方法计算了距地面30～100km处的γ射线源,通过大气传输到距地面500km轨道上的不同位置处的γ射线的光子注量、能量注量以及能谱和飞行时间谱的变化情况。计算结果表明:到达较大的轨道倾斜角处的积分光子注量比在真空中传输的积分光子注量超出了30%～90%,能量注量的传输值几乎与真空中的传输值相同。这是由于源附近大气对光子散射到达探测点的注量超过大气对光子的吸收所致。高能注量主要来自非碰撞光子,低能注量来自散射光子。
- 肖志刚唐本奇龚建成黄绍艳
- 关键词：蒙特卡罗方法大气传输特性Γ射线源倾斜角积分
- 热释光剂量计能量响应特性研究
- 使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1-1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子...
- 常冬梅彭宏论林东生龚建成韩福斌杨善潮关颖
- 关键词：蒙特卡罗方法剂量计Γ射线
- 双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟被引量：2
- 2002年
- 首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。
- 郭红霞陈雨生张义门周辉吴国荣林东升韩福斌关颖龚建成
- 关键词：CMOS器件X射线半导体器件
- 不同γ脉冲宽度下CMOS电路闩锁阈值的数值模拟被引量：2
- 2009年
- 采用MEDICI软件,用电流注入和X射线辐照两种方法,对瞬态辐照引起的CMOS电路的闩锁特性进行模拟,研究了闩锁阈值与脉冲宽度的关系;将计算结果与实验测量结果进行比较,结果表明:随着脉冲宽度的增加,辐射损伤的剂量率阈值随之降低,而辐射损伤的总剂量阈值随之增加,CMOS电路的剂量率闩锁阈值与脉冲宽度的倒数成正比。
- 王桂珍林东生杨善潮郭晓强李瑞斌白小燕龚建成
- 关键词：脉冲宽度CMOS电路数值模拟
- CMOS器件脉冲总剂量损伤以及退火效应测试技术研究
- 对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉冲后不同退火时间点的电流-电压曲线的快速采集,初...
- 罗尹虹龚建成姚志斌郭红霞张凤祁
- 关键词：测试系统CMOS器件
- 文献传递
