王桂珍
- 作品数：81 被引量：136H指数：7
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应被引量：4
- 2010年
- 研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应。通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应。
- 刘岩杨善潮林东生崔庆林陈伟龚建成王桂珍白小燕郭晓强
- 脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法
- 本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数...
- 陈伟齐超王晨辉郭晓强杨善潮王桂珍李瑞宾白小燕刘岩金晓明李俊霖
- 文献传递
- 基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析
- 利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果。在'强光一号'上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到不...
- 马强林东生金晓明陈伟杨善潮李瑞宾齐超王桂珍
- 关键词：正交设计BIMOS
- 文献传递
- 基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制
- 介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明,测试系统能准...
- 齐超林东生陈伟杨善潮王桂珍龚建成
- 关键词：测试系统
- 文献传递
- 墓于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制
- 介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法，提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法，设计了可辐射回避的在线测试系统，并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明，测试系统能准...
- 齐超林东生陈伟杨善潮王桂珍龚建成
- 关键词：测试系统
- 文献传递网络资源链接
- 国产LiF(Mg,Ti)-M剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究被引量：2
- 2013年
- 利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200 Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.
- 白小燕齐超金晓明刘岩王桂珍林东生杨善潮龚建成李瑞宾
- 关键词：TLD
- 脉冲中子辐照下三极管电流-时间响应曲线的试验研究
- 2020年
- 利用西安脉冲反应堆(XAPR)的脉冲中子进行辐照,在固定发射极电流下,测量了9种类型三极管的电流-时间响应曲线。理论分析认为,可将基极电流的时间响应分为3个阶段:第1阶段基极电流随时间增大而减小,该过程主要受光电流的影响;第2阶段基极电流随时间增大而快速增大,该过程主要受位移损伤缺陷累积作用的影响;第3阶段基极电流随时间增大而减小并趋于稳定,该过程主要受位移损伤缺陷短期退火的影响。基于测量的集电极电流和基极电流,计算了三极管的放大倍数及短期退火曲线。结果表明,9种类型三极管辐照前后放大倍数的变化率之比大于2,但短期退火曲线差别较小,最大退火因子为1.2~1.3,远小于快堆上得到的短期退火因子2~5。分析认为,该结果是因为加电辐照和XAPR脉宽较长造成的,高载流子密度和长脉宽下,脉冲中子辐照期间缺陷的产生与演化同步发生,导致有效的缺陷数量减少,短期退火因子变小。同时,研究发现,短期退火曲线呈指数衰减,这与缺陷演化的一级动力学过程相符。
- 白小燕白小燕王桂珍刘岩金晓明王桂珍王晨辉齐超
- 关键词：脉冲中子三极管
- NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较被引量：1
- 2002年
- 利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 .
- 何宝平王桂珍周辉罗尹虹姜景和
- 关键词：Γ射线质子剂量率
- 基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统
- 本发明涉及一种基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统，采用可在线初始化外围测试电路的FPGA瞬时电离辐射效应测试系统，该系统基于辐射回避原理，能够规避瞬时电离辐射环境中脉冲干扰对外围测试电路的影响，并在...
- 齐超陈伟林东生王桂珍杨善潮李瑞宾
- 一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关
- 本发明涉及一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，采用辐射探测、RC延时、组合逻辑及驱动相结合的脉冲响应型瞬时辐射敏感电子开关，该开关驱动能力和抗电磁干扰能力强，灵敏度高，可用于瞬时电离辐射下避免电子器件或系统发生闩锁。...
- 李瑞宾王桂珍陈伟齐超杨善潮
- 文献传递
