李瑞宾
- 作品数：56 被引量：42H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 单片机系统脉冲γ辐射效应研究
- 本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象，在“强光一号”加速器上，对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究，获得了单片机的闩锁阈值，得到了功耗电...
- 杨善潮马强金晓明李瑞宾林东生陈伟刘岩
- 关键词：单片机系统闩锁
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- 基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统
- 本发明涉及一种基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统，采用可在线初始化外围测试电路的FPGA瞬时电离辐射效应测试系统，该系统基于辐射回避原理，能够规避瞬时电离辐射环境中脉冲干扰对外围测试电路的影响，并在...
- 齐超陈伟林东生王桂珍杨善潮李瑞宾
- 几种存储器瞬时剂量率效应比较
- 对三种不同类型存储器(SRAM、EEPROM 和FLASH)开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的瞬时辐射响应。对八种不同容量SRAM、三种EEPROM 及两种FLASH,进行了剂量率效应实验测量,测量了不...
- 王桂珍齐超李瑞宾白小燕杨善潮刘岩
- 关键词：SRAMEEPROMFLASH
- 基于晶体管测量的中子注量在线实时测量系统被引量：6
- 2012年
- 利用晶体管直流放大倍数的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,使用晶体管作为在线中子注量测量的探测器,建立了以计算机、GPIB总线、矩阵开关、任意波形发生器、数字示波器等硬件为基础,基于LabVIEW软件平台的中子注量在线实时监测系统。在西安脉冲反应堆中子辐射场中,开展了标定实验研究,建立的中子注量在线实时监测系统实现了空间分布的中子注量实时测量,利用该套系统得到了XAPR和CFBR-Ⅱ的等效损伤系数。
- 杨善潮郭晓强林东生李斌李瑞宾白小燕马强
- 关键词：虚拟仪器
- 国产LiF(Mg,Ti)-M剂量片γ射线响应的线性上限和重复性研究被引量：2
- 2013年
- 利用50Co实验研究了国产LiF(Mg,Ti)-M热释光剂量片(TLD)的线性响应上限及重复性.结果表明,国产LiF(Mg,Ti)-M的线性响应上限在150～200 Gy之间,超过线性上限后灵敏度下降.在剂量片线性响应范围内重复使用,灵敏度基本不变;超过线性上限后重复使用,灵敏度会增加.实验结果还表明,通过筛选可以使一组剂量片的响应一致性满足使用要求,而且不论后续使用中的辐照剂量是否在线性范围,它们的响应一致性均不会因多次使用而变差,因此可以采用成批使用的方法测量非线性区吸收剂量,以提高大剂量测量的准确度.
- 白小燕齐超金晓明刘岩王桂珍林东生杨善潮龚建成李瑞宾
- 关键词：TLD
- 脉冲中子辐照下三极管电流-时间响应曲线的试验研究
- 2020年
- 利用西安脉冲反应堆(XAPR)的脉冲中子进行辐照,在固定发射极电流下,测量了9种类型三极管的电流-时间响应曲线。理论分析认为,可将基极电流的时间响应分为3个阶段:第1阶段基极电流随时间增大而减小,该过程主要受光电流的影响;第2阶段基极电流随时间增大而快速增大,该过程主要受位移损伤缺陷累积作用的影响;第3阶段基极电流随时间增大而减小并趋于稳定,该过程主要受位移损伤缺陷短期退火的影响。基于测量的集电极电流和基极电流,计算了三极管的放大倍数及短期退火曲线。结果表明,9种类型三极管辐照前后放大倍数的变化率之比大于2,但短期退火曲线差别较小,最大退火因子为1.2~1.3,远小于快堆上得到的短期退火因子2~5。分析认为,该结果是因为加电辐照和XAPR脉宽较长造成的,高载流子密度和长脉宽下,脉冲中子辐照期间缺陷的产生与演化同步发生,导致有效的缺陷数量减少,短期退火因子变小。同时,研究发现,短期退火曲线呈指数衰减,这与缺陷演化的一级动力学过程相符。
- 白小燕白小燕王桂珍刘岩金晓明王桂珍王晨辉齐超
- 关键词：脉冲中子三极管
- 一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关
- 本发明涉及一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，采用辐射探测、RC延时、组合逻辑及驱动相结合的脉冲响应型瞬时辐射敏感电子开关，该开关驱动能力和抗电磁干扰能力强，灵敏度高，可用于瞬时电离辐射下避免电子器件或系统发生闩锁。...
- 李瑞宾王桂珍陈伟齐超杨善潮
- 文献传递
- 运算放大器CA3140瞬时电离辐射效应正交实验研究
- 2013年
- 在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应正交实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到了不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最坏因素组合.
- 马强金晓明杨善潮林东生王桂珍李瑞宾
- 关键词：正交设计BIMOS
- 静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究
- 在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存...
- 杨善潮齐超金晓明刘岩王晨辉王桂珍林东生李瑞宾
- 关键词：静态随机存储器
- 脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法
- 本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数...
- 陈伟齐超王晨辉郭晓强杨善潮王桂珍李瑞宾白小燕刘岩金晓明李俊霖
- 文献传递
