刘松
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 半绝缘砷化镓中0.77eV荧光带的研究
- 1992年
- 首次观察到与砷反位缺陷As_(Ga)有关的、室温下的0.77 eV光致发光(PL)带.作者发现,电子辐照不能产生EL2,而与As_(Ga).有关的PL带并不具有光猝灭效应.在非平衡态历程中,As_(Ga)与EL2间未发现有能量交换现象:EL2光猝灭时,并不导致As_(Ga).所对应的0.77 eV带强度变化;电子辐照产生As_(Ga),也不以EL2浓度的变化为代价.As_(Ga)缺陷是带边发射的湮灭中心.
- 翁渝民刘松宗祥福
- 关键词：光致发光半绝缘体砷化镓
- 扫描光荧光表征半导体材料特性被引量：1
- 1992年
- 报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料中的缺陷及浅能级杂质,显示其分布.PL对于杂质识别和缺陷分布的形貌特别灵敏.文中列举和讨论了用本PL扫描系统对Si和GaAs所获得的一些光谱和形貌的信息.实验证明该系统可用作为一个简单、无接触然而却是灵敏的表征手段,可用于评估半导体基片近表面层的均匀性,也适用于器件表征.
- 宗祥福翁渝民刘松秦曦
- 关键词：光荧光半导体
- GaAs中缺陷的光致发光研究被引量：2
- 1992年
- 用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的跃迁.认为1.447eV和1.32eV荧光带系分别对应于与Ga_(As)的两个电子态(38meV和203meV)有关的辐射复合.
- 翁渝民刘松宗祥福
- 关键词：半绝缘砷化镓光致发光
- 九五铝瓷的辐照失效研究被引量：2
- 1998年
- 作为电子元器件封装材料的九五铝瓷，在电子辐照、高温及高电场条件下，观察到电导率会持续增加直至击穿这一现象。样品在辐照前后，电介质特性发生了变化。用傅里叶红外光谱法和ＴＥＭ剖析，观察了材料的辐照损伤，对辐照失效机理给出了初步的解释。
- 刘松顾春林张炽昌陈骏逸陈一神承复宗祥福
- 关键词：电导率电子元器件封装
- Al_2O_3陶瓷的电子辐照效应被引量：1
- 1998年
- 作为电子元器件封装材料的α－Al2O3陶瓷基片，在电子辐照、高温及高电场下，其电导率会持续增加直至击穿．电子辐照后，其电介质特性也发生了变化．
- 陈骏逸刘松张炽昌顾春林陈一神承复宗祥福
- 关键词：电导率电介质特性氧化铝陶瓷
