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刘洪民

作品数：11 被引量：46H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电路
  • 2篇随机存储器
  • 2篇静态随机存储...
  • 2篇CMOS/S...
  • 2篇INGAP/...
  • 2篇存储器
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路板
  • 1篇电路研制
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇印刷电路
  • 1篇印刷电路板
  • 1篇扫描测试

机构

  • 11篇中国科学院微...
  • 1篇四川大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 11篇刘洪民
  • 5篇吴德馨
  • 5篇刘新宇
  • 3篇孙海峰
  • 3篇王润梅
  • 3篇海潮和
  • 2篇扈焕章
  • 2篇韩郑生
  • 2篇张海英
  • 2篇王孜
  • 2篇周小茵
  • 2篇孙海锋
  • 2篇和致经
  • 2篇刘训春
  • 2篇王素琴
  • 2篇陈焕章
  • 1篇陈晓娟
  • 1篇陈霞
  • 1篇赵知夷
  • 1篇仇玉林

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高频大功率GaN器件
吴德馨钱鹤刘新宇刘键郑英奎魏珂刘洪民王素琴王润梅王文泉汪宁陈晓娟武锦梁晓新杨成樾赵知夷
在国内率先建立了拥有自主知识产权和核心技术的2英寸GaN功率器件研制基地，在国产材料上实现的GaN功率器件处于国内领先水平，实现了GaN基高温高频大功率微电子材料和功率器件小批量供应，通过与中国科学院半导体研究所、中国科...
关键词：
关键词：GAN高频大功率
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
2004年
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上 。
张海英刘训春罗明雄刘洪民王润梅
关键词：GAASPHEMTT形栅
Ka波段低噪声放大器的设计被引量：6
2004年
利用 p HEMT工艺设计了一个 Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出 1 d B压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于 2 0 d B,噪声系数小于 1 .0 d B,1 d B压缩点的输出功率在 1 0 d Bm以上 ,性能优异的 LNA。
韩振宇张海英刘洪民李井龙陈晓哲
关键词：毫米波单片集成电路KA波段赝配高电子迁移率晶体管低噪声放大器
100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺被引量：2
2005年
对 10 0mmIn0 .49Ga0 .51P/GaAsHBT器件及相关电路制备中的In0 .49Ga0 .51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究 ,解决了器件及电路制备过程中出现的难题 ,尤其是用很简单的方法解决了In0 .49 Ga0 .51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀“岛”问题 。
石瑞英孙海锋刘训春刘洪民
关键词：空气桥
CMOS/SOI 4kb静态随机存储器被引量：4
2002年
对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系。为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA。CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小:12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm。
刘新宇孙海峰刘洪民韩郑生海潮和
关键词：CMOS/SOI静态随机存储器
InGaP/GaAs HBT 10Gb/s光调制器驱动电路的研制
我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达34.2ps(20~80％),下...
刘洪民袁志鹏孙海锋和致经王素琴王润梅刘新宇吴德馨
关键词：光调制器驱动电路
文献传递
边界扫描测试电路的设计被引量：9
2003年
　讨论了边界扫描测试电路的设计方法和电路的基本结构,并针对光纤通信系统中的32:1时分复用芯片设计了边界扫描电路,给出了模拟结果。
王孜刘洪民吴德馨
关键词：设计方法光纤通信板级测试
CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器
本文对一种CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1K×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Doub...
海潮和刘新宇韩郑生刘洪民孙海峰周小茵陈焕章扈焕章
关键词：随机存储器
文献传递
全耗尽CMOS/SOI工艺被引量：16
2003年
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、2 0 0 0门门海阵列等 ) ,其中 ,n MOS:Vt=0 .7V,Vds=4 .5～ 5 .2 V,μeff=4 6 5 cm2 / (V· s) ,p MOS:Vt=- 0 .8V ,Vds=- 5～ - 6 .3V,μeff=2 6 4 cm2 / (V· s) .当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 4 5
刘新宇孙海峰刘洪民陈焕章扈焕章海潮和和致经吴德馨
关键词：全耗尽SOI工艺双栅
20万门CMOS门阵列技术
黄令仪陈晓东朱亚江洪一仇玉林陈潮枢叶青孙实泽王豫回刘洪民苏振江陈霞刘昭黄晓林旷章曲孟津棣周小茵赵立新朱昱马梦哲汤磊
该项目通过一个正向设计的DSP芯片全过程，全面掌握了0.6um三层金属布线的亚微米、深亚微米的设计技术的全过程，这个过程覆盖按照0.6um设计规则制作的单元库的版图、时序库、综合库、VHDL仿真库、Verilog仿真库，...
关键词：
关键词：高速DSP
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