孙江超
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程核科学技术更多>>
- 不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应被引量：2
- 2013年
- 对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素。实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂量条件下,发射区周长面积比大的双极晶体管辐照敏感性更强,对于npn双极晶体管其电离总剂量辐照损伤的关键因素是辐照感生的氧化层正电荷,而影响横向pnp的关键因素为辐照感生的界面陷阱电荷的密度。提出了一种提高双极晶体管抗电离总剂量辐射性能的措施,为探索双极晶体管以及含有双极晶体管的电子线路的抗电离总剂量辐射加固技术提供了理论和实验依据。
- 吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超王鹏鹏吕长志
- 关键词：双极晶体管发射极电离辐射总剂量
- 不同工艺线性稳压器电离辐射效应及退火特性被引量：1
- 2014年
- 研究掺氯氧化+PE钝化、无氯氧化+PE钝化、掺氯氧化+BPSG钝化三种不同工艺线性稳压器的电离辐照响应及退火特性。实验结果发现,掺氯氧化+BPSG钝化工艺样品比其他两种工艺电离损伤明显减小,具有较强的抑制电离辐射损伤的能力。退火实验表明,辐射感生的界面态是影响稳压器电离辐射性能的主要因素,减少界面态可大大提高器件抑制电离辐射损伤的能力。
- 孙江超张小玲张彦秀谢雪松吕曼吕长志
- 关键词：线性稳压器电离辐射损伤
- 国产线性稳压器电离总剂量效应及损伤研究
- 2013年
- 选择国产三端可调正输出稳压器进行60Co-γ电离辐照实验,研究其电离总剂量效应及损伤变化规律。实验结果发现,基准电压、电压调整率、电流调整率、纹波抑制比是敏感参数,在电离辐射环境中发生明显的退化。结合电路结构,分析了敏感参数退化的原因,探讨了基准电压源和误差放大器等内部关键模块对稳压器抗辐照性能的影响。
- 孙江超张小玲张彦秀谢雪松吕曼吕长志
- 关键词：线性稳压器总剂量效应
- BPSG膜双极晶体管的抗电离辐照性能研究
- 2013年
- 对SiO2+BPSG+SiO2钝化结构和SiO2+SiN钝化结构的双极晶体管和JW117集成稳压器进行了60Co的γ辐照和不同温度下退火行为研究。结果表明,覆盖BPSG钝化膜的器件抗辐照性能明显强于SiN钝化膜的器件。BPSG对Na+具有很好的吸收作用,SiO2层中的Na+很大部分被吸收到BPSG膜中,降低了双极晶体管基区的表面复合速率,减少过剩基极电流,这可能是BPSG钝化膜器件抗辐照性能好的主要原因。通过对器件辐照后不同温度下的退火实验,保证了BPSG钝化膜器件辐照后的工作可靠性。
- 吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超王鹏鹏吕长志
- 关键词：钝化层电离辐照退火
- 线性集成稳压器抗辐照性能测试与分析
- 线性集成稳压器因其调整管工作在线性工作区而得名，由于稳压性能好、输出纹波电压小、电路简单、成本低廉等优点，被广泛应用在空间电子系统中。工作在空间电离辐射环境中的器件不可避免要受空间辐射的影响，并可能出现功能性失效。因此本...
- 孙江超
- 关键词：总剂量效应
- 不同发射结深LPNP晶体管的抗辐照性能研究被引量：1
- 2013年
- 双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加。工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同,浅发射结LPNP的抗辐照性能更强。由于离子注入前氧化层的影响,厚氧化层形成的浅发射结LPNP具有更少的注入损伤,界面态较少,同时具有高的表面杂质浓度,从而减少了辐照后发射区上方的SRH复合以及过剩基极电流的增加,提高了LPNP双极晶体管的抗辐照性能。
- 吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超陈成菊吕长志
- 关键词：双极晶体管总剂量辐照
