王鹏鹏
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术电气工程更多>>
- 不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应被引量：2
- 2013年
- 对制作工艺相同但发射区周长面积比不同的npn和pnp两种类型双极晶体管进行了辐照实验,研究了双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应,分析了影响双极晶体管电离总剂量辐射特性的关键因素。实验结果表明,在相同累积电离辐射总剂量条件下,发射区周长面积比大的双极晶体管辐照敏感性更强,对于npn双极晶体管其电离总剂量辐照损伤的关键因素是辐照感生的氧化层正电荷,而影响横向pnp的关键因素为辐照感生的界面陷阱电荷的密度。提出了一种提高双极晶体管抗电离总剂量辐射性能的措施,为探索双极晶体管以及含有双极晶体管的电子线路的抗电离总剂量辐射加固技术提供了理论和实验依据。
- 吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超王鹏鹏吕长志
- 关键词：双极晶体管发射极电离辐射总剂量
- 不同类型双极晶体管抗辐照性能的研究被引量：3
- 2013年
- 对于制作工艺相同的NPN和LPNP两种类型的双极型晶体管进行了辐照实验,研究了不同类型双极晶体管的电离总剂量辐射损伤机理和退火效应。实验结果表明:在相同的辐照总剂量下,LPNP型双极晶体管的归一化电流增益的下降比NPN型双极晶体管的下降多,说明LPNP型双极晶体管的辐照敏感性更强,这与NPN和LPNP这两种类型的双极晶体管的辐射损伤机理的不同有关。对于NPN型双极晶体管,电离辐照总剂量效应主要是造成氧化物正电荷的积累;而对于LPNP型双极晶体管,电离辐照总剂量效应主要是造成界面态密度的增加。
- 王鹏鹏张小玲谢雪松贾旭光关童童
- 关键词：双极晶体管退火界面态
- 不同钝化层对集成稳压器抗辐照性能的研究
- 随着核和空间技术的发展，越来越多的电子系统工作于辐射环境之中。辐射环境对于工作在其中的电子系统有很大的影响，可导致半导体器件及集成电路的可靠性下降，进而导致整个系统功能的失效。线性集成稳压器具有稳压性能好，输出纹波电压小...
- 王鹏鹏
- 关键词：集成稳压器双极晶体管电离辐照钝化层
- BPSG膜双极晶体管的抗电离辐照性能研究
- 2013年
- 对SiO2+BPSG+SiO2钝化结构和SiO2+SiN钝化结构的双极晶体管和JW117集成稳压器进行了60Co的γ辐照和不同温度下退火行为研究。结果表明,覆盖BPSG钝化膜的器件抗辐照性能明显强于SiN钝化膜的器件。BPSG对Na+具有很好的吸收作用,SiO2层中的Na+很大部分被吸收到BPSG膜中,降低了双极晶体管基区的表面复合速率,减少过剩基极电流,这可能是BPSG钝化膜器件抗辐照性能好的主要原因。通过对器件辐照后不同温度下的退火实验,保证了BPSG钝化膜器件辐照后的工作可靠性。
- 吕曼张小玲张彦秀谢雪松孙江超王鹏鹏吕长志
- 关键词：钝化层电离辐照退火
