宋淑芳
- 作品数：26 被引量：71H指数：5
- 供职机构：北京交通大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 掺杂对纳米ZnO薄膜结构的影响被引量：3
- 2001年
- 采用真空蒸发法和热氧化制备纳米 Zn O薄膜 ,分析掺杂对薄膜结构的影响 .实验发现 ,掺入一定比例的 In,可以得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜 ,薄膜结晶度有所下降 ,影响薄膜沿 c轴的择优取向 .掺 Sb可以得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜掺 .Bi可以改善结晶度 ,获得强烈沿 c轴的择优取向的薄膜 .实验发现随 In含量的增加 ,薄膜晶粒尺寸逐渐减小 ,随 Sb含量的增加 ,晶粒尺寸逐渐增加 ,而
- 宋淑芳李健季秉厚
- 关键词：纳米ZNO薄膜掺杂氧化锌结晶度禁带宽度
- 纳米SnO_2薄膜的制备、结构和性能研究
- 2000年
- 在真空度为 1 3 3 .3μPa时 ,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积 Sn O2 薄膜 .通过XRD、SEM等测试分析 ,研究了杂质掺杂及热处理前后的 Sn O2 薄膜的结构、晶粒尺寸、电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响 .结果表明 ,掺 Bi有效地抑制了晶粒生长 ,提高了薄膜的稳定性 .掺 Bi后 ,薄膜的电学特性增强 ,而掺 In、Cd则影响不大 .
- 李明华宋淑芳季秉厚
- 关键词：半导体
- 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究被引量：5
- 2006年
- 利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0·270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0·300eV,0·188eV,0·600eV和0·410eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级,能级位置位于导带下0·280eV,0·190eV,0·610eV和0·390eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
- 宋淑芳陈维德许振嘉徐叙
- 关键词：GANERPR深能级
- 掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究被引量：7
- 2003年
- 采用背散射 (RBS) 沟道 (channeling)分析和傅里叶变换红外光谱 (FT IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光 (PL)特性 .背散射 沟道分析结果表明 :随退火温度的升高 ,薄膜中辐照损伤减少 ;但当退火温度达到1 0 0 0℃ ,薄膜中的缺陷又明显增加 .Er浓度随注入深度呈现高斯分布 .通过沿GaN的 <0 0 0 1 >轴方向的沟道分析 ,对于 90 0℃ ,30min退火的GaN :Er样品 ,Er在晶格中的替位率约 76 % .光谱研究表明 :随退火温度的升高 ,室温下样品的红外PL峰强度增加 ;但是当退火温度达到 1 0 0 0℃ ,样品的PL峰强度明显下降 ;测量温度从 1 5K变化到 30 0K时 ,样品 (90 0℃ ,30min退火的GaN :Er)的 1 540nm处PL温度猝灭为 30 % .
- 宋淑芳周生强陈维德朱建军陈长勇许振嘉
- 关键词：GAN光致发光晶体结构
- 掺稀土GaN薄膜的结构与光电特性的研究
- 掺稀土GaN材料在光通讯和全色显示技术中具有广阔的应用前景,因而受到热切的关注.我们选用MOCVD和MBE制备GaN样品,采用离子注入方法掺入稀土元素Er和Pr,系统地研究了注Er、Pr的GaN薄膜的结构、光学和电学特性...
- 宋淑芳
- 关键词：GAN稀土结构特性光电特性
- 手动跟踪方阵面上辐照度及曝辐量计算公式的推导被引量：6
- 2002年
- 推导出了方位角手动跟踪和极轴时角手动跟踪方阵面上曝辐量及辐照度的计算公式。根据二连浩特实测的日射资料 ,计算了不同手动跟踪方阵面上各月的曝辐量 ,比较了不同跟踪方式下太阳电池方阵各月接受的曝辐量。
- 艾彬宋淑芳季秉厚宋进华
- 关键词：手动跟踪辐照度方位角太阳能电池
- 有机多层量子阱的能量转移被引量：2
- 2007年
- 采用多源有机分子气相沉积系统制备了不同类型的有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安法和吸收光谱、荧光光谱研究了量子阱的类型、光致发光的特性.电化学循环伏安法和吸收光谱的测量结果表明,PBD/8-羟基喹啉铝(Alq3)有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构,NPB/Alq3和BCP/Alq3有机量子阱为Ⅱ型量子阱结构.荧光光谱的研究结果表明,PBD/Alq3和BCP/Alq3量子阱结构可以实现PBD,BCP向Alq3能量完全转移,而NPB/Alq3量子阱结构,NPB和Alq3之间只是部分能量转移.文中对影响能量转移的因素进行了讨论.
- 宋淑芳赵德威徐征徐叙瑢
- 纳米ZnO薄膜的特性研究
- 该文采用真空范发法制备纳米ZnO薄膜,通过利用XRD、扫描俄歇能谱仪、分光光度计等仪器的测试与分析,研究薄膜的制备、掺杂、补底以及热处理温度时间对ZnO薄膜的结构、晶粒尺寸、电学特性、光学特性、气敏特性的影响.结果表明有...
- 宋淑芳
- 关键词：纳米ZNO薄膜
- 文献传递
- 掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er^(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响被引量：8
- 2003年
- 对nc Si SiO2 薄膜中纳米硅 (nc Si)、Er3+ 和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究 .在 5 14 .5nm光激发下 ,nc Si SiO2 薄膜在 75 0nm和 1.5 4 μm处存在较强的发光 ,前者与薄膜中的nc Si有关 ,后者对应于Er3+ 从第一激发态4 I1 3 2 到基态4 I1 5 2 的辐射跃迁 .随薄膜中Er3+ 含量的提高 ,1.5 4 μm处的发光强度明显增强 ,75 0nm处的发光强度却降低 .H处理可以明显增强薄膜的发光强度 ,但是对不同退火温度样品 ,处理效果却有所不同 .根据以上实验结果 ,可得如下结论 :在nc Si颗粒附近的Er3+ 和其他的缺陷组成了nc Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心 ,束缚激子通过Er3+ 的非辐射复合 ,激发Er3+ 产生 1.5 4 μm处的发光 ,同时降低了 75 0nm处的发光强度 .nc Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er3+ 被激发的概率 ,引起 1.5 4 μm处的发光强度降低 .
- 陈长勇陈维德王永谦宋淑芳许振嘉
- 关键词：掺铒发光特性ER^3+纳米硅
- 纳米ZnO薄膜的制备被引量：5
- 2001年
- 采用真空气相沉积法 ,使用两种蒸发源制备纳米 Zn O薄膜 .用 XRD( X射线衍射 )进行测试并进行其结构特性分析 .研究发现 ,蒸发源为分析纯 Zn粉末时 ,蒸发可获得纳米 Zn薄膜 ,薄膜在氧气气氛下同时进行氧化及热处理 .实验发现 ,当温度高于 4 0 0℃ ,得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜 .蒸发源为分析纯 Zn O粉末时 ,采用钼舟加热 ,高温下 Zn O与钼舟发生反应 ,使部分 Zn O还原为 Zn,因此这种方法不适合纳米 Zn
- 宋淑芳李健季秉厚
- 关键词：纳米ZNO薄膜氧化锌薄膜
